先进封装产业与键合技术发展，共驱键合设备广阔空间.pptx

目录

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一、终端市场发展与键合设备迭代互为驱动

二、键合技术发展带来设备厂商机遇

三、AI产业浪潮下的键合设备发展四、设备厂商和投资标的梳理

一、终端市场发展与键合设备迭代互为驱动

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1.1半导体键合概

念

半导体后道封装工艺包含背面研磨(BackGrinding)、划片(Dicing)、芯片键合(DieBonding)、引线键合(WireBonding)及成型(Molding)

等步骤。这些工艺的顺序可根据封装技术的变化进行调整、相互结合或合并。

“键合”是指将晶圆芯片固定于基板上。键合工艺可分为传统方法和先进方法两种类型。传统方法采用芯片键合(DieBonding)（或芯片贴装(DieAttach)）和引线键合(WireBonding)，而先进方法则采用IBM于60年代后期开发的倒装芯片键合(FlipChipBonding)技术。倒装芯片键合技术将芯片键合与引线键合相结合，并通过在芯片焊盘上形成凸块(Bump)的方式将芯片和基板连接起来。

芯片封装工艺流程

键合类型

资料来源：BESI、TechInsight

s、SK海力士、耐科装备

2024年芯片封装设备市场构成

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1.2键合分类

按是否需要进行解键合，可以将晶圆键合分为永久键合和临时键合。

永久键合后无需解键合，按照封装方案的不同，永久键合可能涉及完整的晶圆或单片芯片，其连接到其他晶圆或再分配层或中介层，目的是保证封装组件键合的永久性，并提供牢固的电、热和机械连接。根据是否有中间层，可以将永久键合分为两种主要类型：

（1）没有中间层的直接键合，包括融熔键合/直接或分子键合、铜

-铜/氧化物混合键合、阳极键合等；

（2）有中间层的间接键合，按照中间层材料分为使用绝缘中间层的玻璃浆料键合、胶键合等，以及使用金属键合的共晶键合、金属热压键合、回流焊等。

临时键合是指将晶圆临时键合到一个或多个临时载体衬底上，从而为薄晶片或超薄晶片提供机械支撑，之后再解离的过程。电子产品的小型化要求芯片具有更好的散热和更高性能，因此需要对晶圆进行减薄以达到所需厚度。然而当晶圆的厚度减小到200微米内时，超薄晶圆会变得脆弱并容易发生翘曲。因此半导体行业提出了各种临时粘合/解离（TBDB）技术，在晶圆减薄、加工和转移过程中为超薄晶圆提供机械支撑和物理保护，减少翘曲和破片的风险，以及加工时因晶圆位移等可能产生的缺陷。

资料来源：麦姆斯咨询

晶圆键合技术

永久键合

没有中间层的直接键合

临时键合/解键合

融熔键合/直接或分子键合

绝缘中间层

有中间层的间接键合

金属键合

玻璃浆料键合

胶键合共晶键合

回流焊

金属热压键合

铜-铜/氧化物混合键合

阳极键合

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终端市场发展与设备迭代互为驱动

AI、电动汽车和先进移动设备等终端应用市场的驱动下，永久键合以及临时键合和解键合设备市场持续增长。相对的，光刻和键合设备的升级迭代，是下游市场持续迭代的重要支撑。

根据Techlnsights，2024年半导体封装设备市场与2023年相比预计实现增长，但与2021年的上一个周期性峰值相比预计下降。当前的下行周期主要是由2020年和2021年大规模产能建设后主流消费应用需求下降驱动的。2024年主要终端用户市场的需求减少，被生成式AI应用的大幅增长所抵消，主要用于高端计算和数据中心。在持续两年多的行业低迷之后，2024年至2026年组装设备市场预期将增长59%，这受益于半导体单位产量增加，过剩库存消耗，产能利用率上升，以及AI相关先进封装解决方案的需求继续增加。

光刻设备是超越摩尔器件的制造技术发展的支柱，键合设备的改进则推动了先进封装。在永久键合设备方面，背面照明（BSI）CMOS图像传感器的混合键合正在发展，混合键合也无可争议地被用于存储器和逻辑器件的3D集成和堆叠。临时键合设备的销售则受衬底减薄和处理的推动，尤其是先进封装。

资料来源：Techlnsights、YOLE、华安

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证券研究所整理

2020-2026E的封装设备市场趋势 超越摩尔应用的设备细分

1.4先进封装发展中的键合设备技术升级

摩尔定律驱动先进封装的发展，同样伴随着键合方式的改变，键合技术的发展的主线是实现更高密度的互联和更小的封装尺寸。

在封装史上，最后一次重大范式转变是从引线键合到倒装芯片：引线键合工艺要求键合焊区的凸点电极沿芯片四周边缘分布，引线的存在也需要塑封体提供保护，从而增加了体积，阻碍了芯片工作时热量的散发。随着器件小型化和复杂化，传统封装使用的引线键合工艺逐渐难以满足行业需求。与传统的引线键合技术相比，倒装芯片焊接技术键合焊区的凸点电极不仅仅沿芯片四周边缘分布，且可以通过再布线实现面阵分布。因而倒装芯片焊接技术具有小尺寸、高密度、高性