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国硅集成电路技术(无锡)有限公司NSG1415/6(R)
zNSICTechnology(Wuxi)Co.,LTD
Version2.1,2022.04.22
NSG1415/6(R)2A单通道低侧栅极驱动芯片
1产品特性高鲁棒性的单芯片集成结构。NSG1415/6(R)逻辑输入
输入输出同/反相位电平兼容低至3.3V的CMOS或LSTTL逻辑输出电平。
兼容3.3V、5V输入逻辑输出驱动器具有宽VCC范围、带滞后的欠压锁定和输
工作范围:4.5V~25V出电流缓冲级。可以在-40℃至125℃温度范围内工作。
高电容负载驱动能力:
--在1nF负载时,开关时间100ns
宽温度范围:-40℃~125℃器件信息
欠压锁定零件号封装封装尺寸(标称值)
芯片开通关断延时特性
/NSG1415/6(R)SOT23-52.9mmx1.6mm
--Ton/Toff25ns/25ns
驱动电流能力:
--拉电流/灌电流=2A/2A
符合RoSH标准
SOT23-5封装简化示意图
2应用范围
交换式电源、开关变换器
通用栅驱动器
驱动MOSFETs和IGBTs
3产品概述
NSG1415/6(R)是一款低电压功率MOSFET和IGBT同
相位栅驱动器。专有的闩锁免疫CMOS技术可以实现
Copyright©2022,NSICTechnology(Wuxi)Co.,LTD
国硅集成电路技术(无锡)有限公司
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