CEMIA2020-2-01 半导体单晶硅生长用石英坩埚团体标准—征求意见稿.pdf

ICS

6

CCS

团体标准

T/CEMIA-

×××××××

半导体单晶硅生长用石英坩埚

Quartzcrucibleforsemiconductormonosilicongrowth

（征求意见稿）

本稿完成日期：2020年12月10日

××××-××-××发布××××-××-××实施

中国电子材料行业协会发布

T/CEMIAXXX-XXXX

半导体单晶硅生长用石英坩埚

1范围

本文件界定了半导体单晶硅生长用石英坩埚的术语和定义，并规定了尺寸偏差、技术要求、试验

方法、检验规则、标志、包装、运输、储存。

本文件适用于以高纯石英砂（成份：二氧化硅）为原料，采用电弧熔融法生产的用于半导体单晶硅

生长用石英坩埚。

2规范性引用文件

下列文件中的内容通过文中的规范性引用而构成本文件必不可少的条款。其中，注日期的引用文件，

仅该日期对应的版本适用于本文件；不注日期的引用文件，其最新版本（包括所有的修改单）适用于本

文件。

GB/T2828.1-2012计数抽样检验程序第1部分：按接收质量限（AQL）检索的逐批检验抽样计划

GB/T3284-2015石英玻璃化学成分分析方法

JC/T2205-2014石英玻璃术语

T/CEMIA004-2018光伏单晶硅生长用石英坩埚

3术语和定义

JC/T2205-2014、T/CEMIA004-2018界定的以及下列术语和定义适用于本文件。

3.1微气泡micro-bubble

直径小于0.5mm的气泡。

[来源：T/CEMIA004-2018光伏单晶硅生长用石英坩埚,3.1,有修改]

3.2白斑vaporspots

目视可见的灰色、乳白色、粗糙或平滑的斑点。

[来源：T/CEMIA004-2018光伏单晶硅生长用石英坩埚,3.2]

3.3凸起bulge

高出石英坩埚内表面和外表面的点。

2

T/CEMIAXXX-XXXX

[来源：T/CEMIA004-2018光伏单晶硅生长用石英坩埚,3.3]

3.4圆度偏差circularitytolerance

石英坩埚圆柱体同一横截面上最大与最小直径之差。

[来源：T/CEMIA004-2018光伏单晶硅生长用石英坩埚,3.4，有修改]

3.5偏壁值sidingvalue

石英坩埚圆柱体同一横截面上最大与最小壁厚之差。

[来源：T/CEMIA004-2018光伏单晶硅生长用石英坩埚,3.5]

3.6壁内body

内表面与外表面之间的区域。

[来源：T/CEMIA004-2018光伏单晶硅生长用石英坩埚,3.6，有修改]

3.7弧度间隙radiangap

标准弧度卡板与石英坩埚弧度外表面的间隙。

[来源：T/CEMIA004-2018光伏单晶硅生长用石英坩埚,3.7]

3.8透明层厚度bubblefreelayerthickness

透明的气泡空乏层厚度。

[来源：T/CEMIA004-2018光伏单晶硅生长用石英坩埚,3.8]

3.9附着物specksattachedonsurface