NSG6398 700V 集成自举的单相高低侧功率 MOSFET IGBT 驱动芯片 SOIC8 深圳恒锐丰科技.pdf

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国硅集成电路技术（无锡）有限公司NSG6398

NSICTechnology(Wuxi)Co.,LTDVersion1.0,2022.04.01

NSG6398700V集成自举的单相高低侧功率MOSFET/IGBT驱动芯片

1产品特性

3产品概述

自举工作的浮地通道

最高工作电压为+700VNSG6398是一款高压、高速功率MOSFET高低侧驱

兼容3.3V,5V和15V输入逻辑动芯片。具有独立的高侧和低侧参考输出通道。

dV/dt耐受能力可达±50V/ns

S

NSG6398采用高低压兼容工艺使得高、低侧栅驱动电

Vs负偏压能力达-9V

路可以单芯片集成，逻辑输入电平兼容低至3.3V的

集成VCC欠压锁定电路

--欠压锁定正向阈值8.9VCMOS或LSTTL逻辑输出电平。NSG6398集成有自

--欠压锁定负向阈值8.2V举二极管，对高侧进行充电，简化了芯片外围电路。

芯片传输延时特性

NSG6398其浮动通道可用于驱动高压侧N沟道功率

--开通/关断传输延时Ton/Toff130ns/130ns

--延迟匹配时间50nsMOSFET，浮地通道最高工作电压可达700V。

防止直通保护

NSG6398采用SOIC8封装，可以在-40℃至125℃温

--死区时间100ns

度范围内工作。

宽温度范围-40°C~125°C

输出级拉电流/灌电流能力300mA/600mA

集成自举二极管

符合RoSH标准器件信息

SOIC8(S)零件号封装封装尺寸（标称值）

NSG6398SOIC84.9mmx3.9mm

2应用范围

电机控制简化示意图

空调/洗衣机

通用逆变器

逆变器驱动

4产品选型

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