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ICS35.080
CCSC07
团体标准
T/CIXXX—2024
表面等离子体光刻正入射照明掩模制造
工艺规范
Manufacturingprocessspecificationforsurfaceplasma
photolithographynormalincidenceilluminationmask
（征求意见稿）
2024-XX-XX发布2024-XX-XX实施
中国国际科技促进会发布
T/CIXXX—2024
目次
前言II
1范围1
2规范性引用文件1
3术语和定义1
4缩略语1
5工艺保障条件要求1
6材料要求4
7安全要求4
8工艺要求5
I
T/CIXXX—2024
前言
本文件按照GB/T1.1—2020《标准化工作导则第1部分：标准化文件的结构和起草规则》的规定
起草。
请注意本文件的某些内容可能涉及专利。本文件的发布机构不承担识别专利的责任。
本文件由天府兴隆湖实验室提出。
本文件由中国国际科技促进会归口。
本文件起草单位：天府兴隆湖实验室……
本文件主要起草人：……
II
T/CIXXX—2024
表面等离子体光刻正入射照明掩模制造工艺规范
1范围
本文件规定了表面等离子体光刻正入射照明掩模制造的工艺保障条件要求、材料要求、安全要求、
工艺要求。
本文件适用于表面等离子体光刻正入射照明掩模的制造。
2规范性引用文件
下列文件中的内容通过文中的规范性引用而构成本文件必不可少的条款。其中，注日期的引用文件，
仅该日期对应的版本适用于本文件；不注日期的引用文件，其最新版本（包括所有的修改单）适用于本
文件。
GB8978污水综合排放标准
GB/T19022测量管理体系测量过程和测量设备的要求
GB/T25915.1—2021洁净室及相关受控环境第1部分：按粒子浓度划分空气洁净度等级
SJ/T10152集成电路主要工艺设备术语
SJ/T10584微电子学光掩蔽技术术语
3术语和定义
SJ/T10152、SJ/T10584界定的术语和定义适用于本文件。
4缩略语
CD：关键尺寸（CriticalDimension）
CD-SEM：特征尺寸测量用扫描电子显微镜（CriticalDimensionScanningElectronMicroscope）
CDU：临界尺寸均匀性（CriticalDimensionUniformity）
FOV：视场（FieldOfView）
MAM：
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