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芯片制造工艺;课程概述;第一章:半导体基础;半导体材料简介;晶体结构;能带理论;掺杂技术;第二章:晶圆制备;单晶硅生长;晶向与晶面;晶圆切割与研磨;晶圆清洗;第三章:氧化;热氧化原理;氧化动力学;氧化设备;氧化层质量控制;第四章:光刻;光刻工艺流程;光刻胶特性;曝光系统;光刻分辨率;先进光刻技术;第五章:刻蚀;湿法刻蚀;干法刻蚀原理;刻蚀设备;刻蚀终点检测;第六章:离子注入;离子注入原理;离子注入机结构;注入能量与剂量;注入损伤与退火;第七章:薄膜沉积;物理气相沉积(PVD);化学气相沉积(CVD);原子层沉积(ALD);电镀;第八章:化学机械抛光(CMP);CMP原理;CMP设备;抛光液成分;CMP工艺控制;第九章:掺杂与扩散;扩散原理;;扩散工艺;快速热处理(RTP);第十章:晶圆级封装;背面减薄;晶圆切割;焊球植球;晶圆级测试;第十一章:芯片封装;引线键合;倒装芯片(Flip-Chip);塑封;;先进封装技术;总结与展望
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