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第三代半导体的发展变迁与最佳实践
吴全（半导体全哥）
HSC半导体智库华芯金通半导体资本
北京大学·光华楼
2023年12月9日
1
感谢东电的这张优秀的元素周期表
2
何为第三代半导体…
元素半导体化合物半导体
第一代第二代第三代
第三代，与第一代，第二代并不完全N-GEN关系，互补共存。
指标参数硅砷化镓碳化硅氮化镓
基板：同质与异质SiC:3.2evGaN:3.4ev
禁带宽度eV1.121.433.23.4
7
饱和电子漂移速率（10cm/s)1.01.02.02.5
热导率(W·cm-1·k-1）1.50.544.01.3
击穿电场强度（MV/cm)0.30.43.53.3
3
历史
•自1824年J.J.Berzelius首次发现SiC材料后，至今已200年历史。
•SiC材料走出实验室始于CREE(现Wolfspeed)开展SiC商用生产线，SiC材料呈现加速成长趋势。
萌芽期培育期发展期
来源：亿渡数据，HSC分析
4
特性与应用（异同与所长）：市场规模：全球百亿美金和中国百亿人民币。
•高电压、高频率、高功率、高温度，高光效
•半导体照明、5G通信、卫星通信、光通信、电力电子、新能源汽车、轨道交通、雷达航空航天等领域
•也许没如期
来源：英飞凌，HSC分析
5
来源：纳微，HSC分析
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