模拟电子技术基础课后答案(黄丽亚著)(机械工业出版社).docx

第一章答案

二极管电路如图1.3所示。已知直流电源电压为6V，二极管直流管压降为0.7V。

试求流过二极管的直流电流。

二极管的直流电阻RD和交流电阻rD各为多少？

R

图1.3

解：（1）流过二极管的直流电流也就是图1.3的回路电流，即

I=6?0.7A=53mA

D 100

(2)

R= 0.7V =13.2Ω

D 53?10?3A

r=UT=

26?10?3V

=0.49Ω

IDD 53?10?3A

I

D

二极管电路如题图1.4所示。

设二极管为理想二极管，试问流过负载RL的电流为多少？

设二极管可看作是恒压降模型，并设二极管的导通电压UD(on)?0.7V，试问流过负载RL的电流是多少？

设二极管可看作是折线模型，并设二极管的门限电压UD(on)?0.7V，rD?on??20Ω，

试问流过负载的电流是多少？

将电源电压反接时，流过负载电阻的电流是多少？

增加电源电压E，其他参数不变时，二极管的交流电阻怎样变化？

RL

E 100Ω

解：（1）I?E

RL

题图1.4

?100mA

I?

I?

E?UD(on)

RL

E?UD(on)

RL?RD

?94mA

?78.3mA

I??IS或I?0

（5）E增加，直流电流I增加，交流电阻UT下降。

ID

I

D

1.7二极管限幅电路如图1.7(a)、(b)所示。将二极管等效为恒压降模型，且UD(on)=0.7V。若

ui＝5sinωt(V)，试画出u0的波形。

题图1.7

解：(1)在图(a)中：当ui＞一2.7V时，V管截止，u0＝一2V；当ui≤一2.7V时，V管导通，u0＝ui。当ui＝5sinωt(V)时，对应的u0波形如图答图1.7(a)所示。

(2)在图(b)中：当ui＞1.3V时，V管截止，u0＝ui；当ui≤1.3V时，V管导通，u0＝2V。其相应波形如答图1.7(b)所示。

答图1.7

在题图1.9(a)所示电路中，二极管等效为恒压降模型。已知输入电压u1、u2的波形如题图1.9(b)所示，试画出u0的波形。

题图1.9

解：该电路为高电平选择电路，即u1、u2中至少有一个为3V，则u0＝3一0.7＝2.3V。

u1、u2均为0时，uo＝一0.7V。其波形答图1.9(c)所示。

答图1.9

在题图1.10所示电路中，设稳压管的Uz＝5V，正向导通压降为0.7V。若ui＝10sinωt(V)，试画出u0的波形。

题图1.10

解：当ui≥5V时，Vz击穿，u0＝5V。当ui≤一0.7V时，Vz正向导通，u0＝一0.7V。

当一0.7V＜ui＜5V时，Vz截止，u0＝ui。由此画出的u0波形如答图1.10所示。

ΔUo

?UZ

rZRL?rZ

?10?

12

1000?12

答图1.10

?118.69(mV)

习题答案

2.1已知晶体管工作在线性放大区，并测得个电极对地电位如题图2.1所示。试画出各晶体管的电路符号，确定每管的b、e、c极，并说明是锗管还是硅管。

0V

(a)

解：

8V

0V

(b)

-8V

题图2.1

3.7V

1V

(c)

9V

(d)

4.3V

8V

题图（a）： 题图（b）：

-8V

0.7V 硅NPN -0.7V 硅PNP

0V 0V

1V 9V

题图（c）： 题图（d）：

3.7V 锗PNP

4V

4.3V 锗NPN

4V

2.3已测得晶体管电极管各电极对地电位如题图2.3所示，试判别各晶体管的工作状态（放大、饱和、截止或损坏）。

-0.3V

0V

(a)

-5V3AX81

8V

3BX1

3V

(b)

题图2.3

6.3V

7V

(c)

6.6

V3CG21

(d)

12V

3DG8

0V

1

解：题图（a）3AX为PNP锗管，UBE??0.3V（正偏），UCE??4.7V（反偏），放大状态

题图（b）：e结反偏，c结反偏，截止状态

题图（c）：e结正偏，c结正偏，饱和状态题图（d）：e结开路，晶体管损坏

某晶体管的共射输出特性曲线如题图2.6所示

求IBQ=0.3mA时，Q1、Q2点的β值。

确定该管的U(BR)CEO和PCM。

题图2.6

解：（1）Q1点：??50,Q2点：??0。

（2）U(BR)CEO?40