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稿-1
成为首位获IEEEISPSD“先驱奖”科学家
5月10日至14日，功率领域最顶级的学术年会——第二十七届国际
功率器件与年会（IEEEISPSD2015）举行。我校陈
星弼因对高压功率MOSFET理论与设计的卓越贡献获得大会颁发的最高荣誉
“国际功率先驱奖”（ISPSD2015PioneerAward），成为亚太地区首位
获此殊荣的科学家。
大会在颁奖词中回顾了的学术经历，尤其是对他在1993年发明
突破了传统硅极限的“CB-layer”，即后来广为熟知应用的“Super-junction”
的重大学术贡献给予高度评价。大会在授奖词：AwardProf.XingbiChen
forcontributionstodesignandtheoryofhighvoltagepowerMOSFETs.
Asaseniorsemiconductordevicephysicist,heisbestknownforhis
inventionofthe“CB-layer”in1993，laterknownasthe“Super-
junction(SJ)”.InhisUSpatent(#5,216,275A),therelationshipbetween
on-resistance(Ron)andbreakdownvoltage(VB)oftheSJ-structurewas
firstandexplicitlypresentedas:averyattractive
relationshipandabreakthroughtothetraditional“SiliconLimit
of”.Thispatenthasbeencitedbymorethan500patents
world-wide.Inthepastdecades,Prof.Chenhasauthoredandcoauthored
over120papersalongwithsevenbooks.HehasbeengrantedtwentyUS
patentsandseventeenpatents.
5月13日晚，大会在九龙香格里拉酒店举行隆重的授奖仪式和庆祝晚
宴。大会Prof.JohnnyK.O.Sin为颁奖。
在致辞中，借助贝多芬运》交响曲，了自己几十年来
对科学研究的感悟和执着坚持的精神。他讲到：“Myexperienceofdoing
researchissomewhatlikeBeethoven’sSymphonyNo.5.Whenwehavea
newideaandneedtorealizeit,wealwaysmeetdifficultiesand
challenges,likethefateknockingourdoorinthe1stmovementofthe
symphony.Then,westruggled,investigated,studied,andargued,with
cryingandlaughingintheheart.Afterlotsofefforts,eventually,
thebarriersareovercomeandwesucceededinoneresearch.Tonight,
it’slikethe4thmovementofthesymphonyforme.Som
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