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等离子体氧化工艺

课程概述1等离子体基础知识了解物质第四态特性与产生方法2等离子体氧化原理掌握工艺基本原理与反应机制3工艺参数和设备关键参数控制与专用设备介绍应用领域和优势

第一部分：等离子体基础物质第四态继固态、液态、气态之后的高能态高能微粒体系电子、离子、自由基的混合体系反应活性高比常规化学方法更高效

什么是等离子体？1物质的第四态继固、液、气之后2电离气体含电子、离子、中性粒子3准中性整体电中性，局部带电

等离子体的特性高反应性活性粒子可引发多种化学反应高能量密度单位体积能量集中可控性强通过电场、磁场精确调节

等离子体的分类热等离子体电子温度≈重粒子温度非平衡等离子体电子温度?重粒子温度冷等离子体重粒子接近室温

等离子体的产生方法直流放电简单结构，稳定放电射频放电13.56MHz，半导体加工主流微波放电2.45GHz，高密度低损伤

等离子体在微电子制造中的应用1刻蚀高深宽比、高选择性图形转移2沉积PECVD薄膜制备3表面改性亲水/疏水性调节

第二部分：等离子体氧化原理基本原理活性氧与材料表面反应反应机理多种活性粒子协同作用界面特性原子级平整界面形成

等离子体氧化的定义活性氧等离子体氧原子、离子、臭氧等1表面反应活性粒子与基底作用2氧化层形成纳米级薄膜生长3

等离子体氧化vs热氧化参数热氧化等离子体氧化温度要求800-1200°C25-400°C反应速率较慢较快氧化层质量高密度可控结构

等离子体氧化的基本过程等离子体产生电场激发气体分子电离活性粒子扩散向基底表面迁移表面反应与基底原子成键形成氧化物

活性粒子的种类1234氧原子(O)高反应活性，主要氧化剂氧离子(O+,O-)能量高，可增强反应臭氧(O3)强氧化剂，渗透能力强激发态氧(O*)能量高，寿命短

表面反应机理1物理吸附活性粒子附着表面2化学反应形成化学键3扩散过程氧原子向内迁移

氧化层生长动力学时间(分钟)热氧化厚度(nm)等离子体氧化厚度(nm)

等离子体氧化的优势1低温处理兼容热敏材料和工艺2高质量氧化层缺陷少，界面平整3可控性强厚度精确控制至纳米级4工艺灵活可处理多种材料体系

第三部分：工艺参数和设备工艺参数精确控制·设备系统集成·自动化操作

关键工艺参数功率影响等离子体密度1压力决定平均自由程2气体组成活性粒子类型控制3处理时间影响氧化层厚度4

功率对氧化过程的影响

压力的作用低压平均自由程长，反应均匀性好中压平衡反应速率与均匀性高压反应速率快，但均匀性降低

气体组成的选择纯氧氧化速率快，标准工艺氧/惰性气体混合调节反应速率，提高均匀性添加剂气体N?改善界面，H?减少缺陷

处理时间的控制1短时间(1-5分钟)极薄氧化层，5nm2中等时间(5-15分钟)中厚氧化层，5-15nm3长时间(15分钟)厚氧化层，15nm

温度因素25°C室温条件热敏材料处理200°C中温区间最佳质量温度400°C高温区间热辅助扩散

等离子体氧化设备概述平行板反应器结构简单，广泛应用电感耦合等离子体反应器高密度，低损伤电子回旋共振反应器超高密度，精确控制

平行板反应器工作原理RF电场在电极间激发气体特点结构简单，均匀性好局限性等离子体密度较低

电感耦合等离子体（ICP）反应器感应电场螺旋线圈产生感应电场高密度等离子体密度达1011-1012cm?3大面积处理最大可处理300mm晶圆

电子回旋共振（ECR）反应器1微波源2.45GHz2磁场线圈875高斯磁场3共振腔电子回旋运动4扩散区等离子体向基底扩散

反应室设计考虑因素气体分布多点进气，均匀供应温度均匀性多区加热，精确控温静电屏蔽减少杂散场，防止放电

电源系统1RF电源13.56MHz，功率0.1-5kW2匹配网络自动调谐，最大功率传输3功率控制脉冲调制，实时反馈

真空系统前级泵粗抽，大流量分子泵高真空，无油污染压力控制节流阀，稳定工作压力

气体供应系统气体源高纯气体钢瓶1质量流量控制器精确气体流量2混合系统多气体比例控制3安全监测泄漏检测，自动关断4

监测和控制系统光谱分析等离子体组分实时监测质谱分析气体组分精确测量实时反馈控制参数自动调节

第四部分：应用领域和优势微电子·光电子·功率器件·传感器·生物医学

微电子器件制造1栅极氧化薄而均匀的栅介质2隔离层形成器件间电气隔离3钝化层沉积防护层，延长寿命

薄膜晶体管（TFT）热氧化TFT等离子体氧化TFT

MEMS器件结构层氧化高质量氧化硅作为结构材料牺牲层制备选择性氧化形成临时支撑表面改性疏水/亲水性能调控

光电器件透明导电氧化物ITO、ZnO薄膜防反射涂层精确控制折射率光学波导集成光电子器件

功率器件1SiC氧化高温、高压器件栅介质2GaN氧化改善界面特性3界面态密度控制降低漏电流，提高可靠性

生物医学应用生物相容性改善植入材料表面改性药物输送系统多孔