基于PECVD工艺的TOPCon电池制备技术通则 DB51 T 3238-2024.pdfVIP

ICS29.220

CCSK82

DB51

四川省地方标准

DB51/T3238—2024

基于PECVD工艺的TOPCon电池制备

技术通则

2024-12-18发布2025-01-18实施

四川省市场监督管理局发布

DB51/T3238—2024

基于PECVD工艺的TOPCon电池制备技术通则

1范围

本文件规定了基于PECVD工艺的TOPCon太阳电池制备所涉及的主要材料、制备技术、成品测试的

要求。

本文件适用于基于PECVD工艺路线制备TOPCon太阳电池。

2规范性引用文件

下列文件中的内容通过文中的规范性引用而构成本文件必不可少的条款。其中，注日期的引用文件，

仅该日期对应的版本适用于本文件；不注日期的引用文件，其最新版本（包括所有的修改单）适用于本

文件。

GB/T2297太阳光伏能源系统术语

GB/T6495.1光伏器件第1部分：光伏电流—电压特性的测量

GB/T14264半导体材料术语

SJ/T11760光伏电池绒面反射率的测量光电积分法

SJ/T11829.1晶体硅光伏电池用等离子体增强化学气相淀积（PECVD）设备第1部分：管式PECVD

设备

IECTS63202-2光伏电池第2部分：晶体硅太阳能电池的电致发光成像（Photovoltaiccells-Part2:

Electroluminescenceimagingofcrystallinesiliconsolarcells）

3术语和定义

GB/T2297、GB/T14264、SJ/T11829.1界定的以及下列术语和定义适用于本文件。

3.1

TOPCon太阳电池tunneloxidepassivatedcontactsolarcell

超薄氧化硅层及掺杂多晶硅层钝化接触太阳电池。

3.2

硼硅玻璃层borosilicateglasslayer

富含硼元素的二氧化硅层。

3.3

磷硅玻璃层phosphosilicateglasslayer

富含磷元素的二氧化硅层。

4缩略语

下列缩略语适用于本文件。

PECVD：等离子体增强化学气相沉积（PlasmaEnhancedChemicalVaporDeposition）

1

DB51/T3238—2024

5主要材料要求

5.1N型单晶硅片

5.1.1长度与宽度

TOPCon太阳电池所用N型单晶硅片为含倒角的矩形，尺寸宜符合表1要求。

表1TOPCon太阳电池硅片长度与宽度要求

项目长度(mm)宽度(mm)尺寸偏差(mm)

要求166≤L≤23083≤W≤230±1

5.1.2厚度

硅片厚度宜符合100μm~150μm。

5.1.3少子寿命