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模拟电子技术复习题
一、单选题(共103题,每题1分,共103分)
1.PNP型三极管工作在放大状态时,其发射极电位最高,集电极电位最低。()
A、对:
B、错
正确答案:A
2.分压式偏置共发射极放大电路是一种能够稳定静态工作点的放大器。()
A、错
B、对:
正确答案:B
3.单极型半导体器件是()。
A、晶体三极管;
B、稳压管。
C、场效应管;
D、二极管;
正确答案:C
4.“虚短”和“虚断”两个重要概念,无论是分析运放的线性电路还是非线性电路均适用。
A、正确;
B、错误
正确答案:B
5.若在本征硅中掺入适量的五价杂质元素,就可生成多子为自由电子的N型半导体。
A、错误
B、正确;
正确答案:B
6.N型半导体中的多数载流子是()
A、自由电子
B、负离子
C、正离子
D、空穴
正确答案:A
7.N型半导体中多数载流子是_____。
A、自由电子
B、PN结
C、空穴
正确答案:A
8.在本征半导体中加入_____元素可形成P型半导体。
A、四价
B、三价
C、五价
正确答案:B
9.差动放大电路能够有效地抑制零漂,因此具有很高的共模抑制比。()
A、对:
B、错
正确答案:A
10.因为N型半导体的多子是自由电子,所以它带负电。()
A、错
B、对:
正确答案:A
11.基极电流iB的数值较小时,易引起静态工作点Q接近()。
A、截止区;
B、饱和区;
C、死区
D、非线性区
正确答案:A
12.输出端交流短路后仍有反馈信号存在,可断定为电流负反馈。()
A、错
B、对:
正确答案:B
13.如果两个信号,它们的大小相等,相位相反,则它们是()信号。
A、差模
B、共模
C、模拟
正确答案:A
14.集成运放工作在线性应用电路时的分析依据是()两个重要概念。
A、虚短和虚地
B、虚短和虚断
C、虚断和虚地
D、线性和非线性
正确答案:B
15.分压式偏置的共发射极放大电路中,若VB点电位过高,电路易出现()。
A、截止失真;
B、饱和失真;
C、晶体管被烧损。
正确答案:B
16.N型半导体是在本征半导体中掺入微量的()价杂质元素构成的。
A、四价
B、三价
C、五价
D、六价
正确答案:C
17.晶体三极管的输出特性曲线上可分为()
A、恒流区、饱和区、截止区和击穿区四个分区
B、死区、正向导通区、反向截止区和反向击穿区四个分区
C、恒流区、放大区和截止区三个分区
D、放大区、饱和区和截止区三个分区
正确答案:D
18.晶体三极管的极是它的()。
A、集电极
B、发射极
C、栅极
D、基极
正确答案:B
19.射极输出器的电压放大倍数等于1,因此它在放大电路中作用不大。()
A、正确;
B、错误
正确答案:B
20.差分放大电路利用其对称性,可以有效地抑制零点漂移现象。
A、错误
B、正确;
正确答案:B
21.NPN型三极管用于放大时,应使发射结、集电结处于()。
A、发射结反偏、集电结正偏
B、发射结正偏、集电结正偏
C、发射结正偏、集电结反偏
D、发射结反偏、集电结反偏
正确答案:C
22.共发射极放大电路的反馈元件是()。
A、电阻RB;
B、电阻RE;
C、电阻RC。
正确答案:B
23.P型半导体是在本征半导体中加入微量的()元素构成的。
A、四价;
B、三价;
C、五价;
D、六价。
正确答案:B
24.PNP型三极管用于放大时,应使发射结、集电结处于()。
A、发射结正偏、集电结正偏
B、发射结正偏、集电结反偏
C、发射结反偏、集电结正偏
D、发射结反偏、集电结反偏
正确答案:B
25.双极三极管是一种()
A、电流控制的电压源
B、电流控制的电流源
C、电压控制的电流源
D、电压控制的电压源
正确答案:B
26.分压式偏置共发射极放大电路是一种能够稳定静态工作点的放大器。()
A、正确;
B、错误
正确答案:A
27.测得晶体管三个电极的静态电流分别为0.06mA,3.6mA和3.66mA,该晶体管的β等于()
A、50
B、60
C、61
D、100
正确答案:B
28.因放大电路对不同频率信号成分的放大能力和相移能力不同而造成输出畸变的现象称为()
A、饱和失真
B、频率失真
C、截止失真
D、交越失真
正确答案:B
29.集成运放一般分为两个工作区,它们分别是()。
A、正反馈与负反馈;
B、线性与非线性;
C、虚断和虚短。
正确答案:B
30.理想集成运放的两个重要结论是()。
A、断路与短路。
B、虚断与虚短;
C、虚短与虚地;
正确答案:B
31.电压放大电路首先需要考虑的技术指标是()。
A、放大电路的电压增益;
B、管子的工作效率。
C、不失真问题;
正确答案:C
32.NPN型三
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