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电子科技大学半导体物理期末考试试卷a试题答案

一、选择题（每题3分，共30分）

1.以下哪种半导体材料的禁带宽度最大（）

A.硅（Si）

B.锗（Ge）

C.砷化镓（GaAs）

D.碳化硅（SiC）

答案：D

解析：硅的禁带宽度约为1.12eV，锗的禁带宽度约为0.67eV，砷化镓的禁带宽度约为1.42eV，碳化硅的禁带宽度较大，在2.33.3eV左右，所以碳化硅禁带宽度最大。

2.在本征半导体中，下列说法正确的是（）

A.电子浓度大于空穴浓度

B.电子浓度小于空穴浓度

C.电子浓度等于空穴浓度

D.电子浓度与空穴浓度没有关系

答案：C

解析：本征半导体是完全纯净的、具有晶体结构的半导体。在本征激发过程中，每产生一个自由电子就会同时产生一个空穴，所以电子浓度等于空穴浓度。

3.杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于（）

A.温度

B.杂质浓度

C.光照

D.电场强度

答案：B

解析：杂质半导体中，多数载流子是由杂质原子提供的。例如n型半导体中多数载流子电子是由施主杂质提供，p型半导体中多数载流子空穴是由受主杂质提供，所以多数载流子的浓度主要取决于杂质浓度。而温度主要影响本征激发产生的载流子浓度，光照和电场强度对载流子浓度也有影响，但不是决定多数载流子浓度的主要因素。

4.对于PN结，在反向偏置时（）

A.耗尽层变宽，电流很小

B.耗尽层变窄，电流很大

C.耗尽层宽度不变，电流为零

D.耗尽层先变宽后变窄，电流先小后大

答案：A

解析：PN结反向偏置时，外电场方向与内电场方向相同，加强了内电场，使多子的扩散运动难以进行，少子的漂移运动增强。耗尽层中的载流子被进一步抽取，耗尽层变宽。由于少子浓度很低，所以反向电流很小。

5.半导体中载流子的迁移率与（）有关。

A.温度和杂质浓度

B.温度和电场强度

C.杂质浓度和光照强度

D.电场强度和光照强度

答案：A

解析：载流子的迁移率反映了载流子在电场作用下运动的难易程度。温度升高时，晶格振动加剧，载流子受到的散射增强，迁移率降低；杂质浓度增加时，杂质离子对载流子的散射作用增强，迁移率也会降低。电场强度主要影响载流子的漂移速度，光照强度主要影响载流子的产生，它们对迁移率没有直接影响。

6.热平衡状态下，非简并半导体的电子浓度$n_0$满足的公式是（）

A.$n_0=N_ce^{\frac{E_cE_F}{kT}}$

B.$n_0=N_ce^{\frac{E_cE_F}{kT}}$

C.$n_0=N_ve^{\frac{E_FE_v}{kT}}$

D.$n_0=N_ve^{\frac{E_FE_v}{kT}}$

答案：A

解析：在热平衡状态下，非简并半导体导带中的电子浓度$n_0$由费米狄拉克分布函数积分得到，其表达式为$n_0=N_ce^{\frac{E_cE_F}{kT}}$，其中$N_c$是导带有效状态密度，$E_c$是导带底能量，$E_F$是费米能级，$k$是玻尔兹曼常数，$T$是温度。

7.以下关于表面态的说法正确的是（）

A.表面态只存在于半导体表面

B.表面态不影响半导体的电学性质

C.表面态的密度与半导体的晶体结构无关

D.表面态可以捕获和释放载流子

答案：D

解析：表面态是指半导体表面存在的一些特殊的量子态。它不仅存在于半导体表面，其状态会影响半导体表面的电学性质。表面态的密度与半导体的晶体结构、表面处理等因素有关。表面态可以捕获和释放载流子，从而影响半导体表面的载流子浓度和分布。

8.异质结是由（）构成的结。

A.两种不同杂质浓度的同种半导体

B.两种不同类型（n型和p型）的同种半导体

C.两种不同的半导体材料

D.半导体和金属

答案：C

解析：异质结是由两种不同的半导体材料构成的结，与同质结（由同种半导体材料构成，只是杂质类型或浓度不同）相区别。半导体和金属构成的结是金属半导体接触，不是异质结。

9.半导体的霍尔效应是指（）

A.在垂直于电流方向施加磁场，会在电流方向产生电场

B.在平行于电流方向施加磁场，会在垂直于电流方向产生电场

C.在垂直于电流方向施加磁场，会在垂直于电流和磁场方向产生电场

D.在平行于电流方向施加磁场，会在平行于电流方向产生电场

答案：C

解析：半导体的霍尔效应是指当在垂直于电流方向施加磁场时，载流子会受到洛伦兹力的作用而发生偏转，从而在垂直于电流和磁场的方向上形成电荷积累，产生电场。

10.对于简并半导体，其费米能级位于（）

A.禁带中靠近导带底

B.禁带中靠近价带顶

C.导带内或价带内