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PSS的生产工艺及原理;PSS介绍

PSS工艺——清洗、光刻、刻蚀

质量标准;蓝宝石应用;WhyPatternedSapphireSubstrate;PSS作用:

增加出光效率

减少外延位错密度;PSSexamples;图形转移技术-干法刻蚀

;图形转移技术-湿法腐蚀;纳米压印得工艺;阳极氧化铝(AAO)技术;大家学习辛苦了，还是要坚持;优势:

图形尺寸小,可以克服曝光缺陷,

过程简单,没有显影,烘烤等步骤。

缺点:

掩模板昂贵。气泡等匀胶缺陷还存

在。纳米PSS需要LED工艺进一步验证。;中镓PSS模型;表:PSS模型标准;二、PSS制程;二、PSS制程;;1、清洗;1、清洗;1、清洗;清洗质量直接影响下面得各道工艺,如圆晶表面有残胶等污染在匀胶会产生颗粒,在ICP容易产生盲区死区,蚀刻后再清洗不容易再洗干净;圆晶表面黏附性不好在显影会产生脱胶。故必须严格控制圆晶得清洗,从源头把好关。;2、光刻;2、光刻基本工艺流程;2、1光刻胶;抗蚀剂有两个基本功能:精确图形形成和刻蚀时保护衬底;2、2表面处理;2、3涂胶;

;2、3涂胶质量标准;2、4前烘;2、4前烘;2、5对准曝光;2、5曝光工艺控制;2、5曝光工艺——能量;2、5曝光工艺——DOF;2、5曝光工艺——ALIGNMENT;三角;2、6后烘;2、7显影;2、8坚膜;;2、9光刻质量检查;3、刻蚀;3、ICP;ICP设备腔体示意图;:;;3、3刻蚀工艺控制;;产品测试位置;图形高度H:1、35±0、15um

图形底径B:2、45±0、25um

图形间S:0、55±0、25um

片内图形高度、底径均匀性≤5%

间距均匀性≤10%;死区;图形不规则;彩纹数据;不同马赛克情况PSS衬底LED波长均匀性比较;无马赛克轻度马赛克重度马赛克;尺寸缺陷

平均高度H1、2um,1、8um;底径B2、2um或2、7um;间距S0、8um或0、3um;

外观缺陷

?????关于边宽:边宽2mm,彩纹2mm,边宽+彩纹?2mm;

?????以面积为单位:刮伤、死区、污染、匀胶缺陷,累计面积10m㎡;

??????以曝光场为单位:3、5mmx3、5mm曝光场得严重马赛克(马赛克场5个或存在严重突出马赛克得);

?????以晶片完整:晶片缺损(如:边沿缺损),碎片(设备故障、人为操作、晶片不良等原因导致);