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2薄膜沉积化学方法;2薄膜沉积化学方法;2薄膜沉积化学方法;2薄膜沉积化学方法;2薄膜沉积化学方法;2薄膜沉积化学方法;2薄膜沉积化学方法;2薄膜沉积化学方法;2薄膜沉积化学方法;2薄膜沉积化学方法;2薄膜沉积化学方法;2薄膜沉积化学方法;2薄膜沉积化学方法;2薄膜沉积化学方法;2薄膜沉积化学方法;2薄膜沉积化学方法;2薄膜沉积化学方法;2薄膜沉积化学方法;六、有机金属化合物CVD(MOCVD,MetalOrganicCVD):
概念:利用低气化温度有机金属化合物加热分解而进行气相外延生长薄膜CVD方法,
主要用于各种化合物、半导体薄膜气相生长。;六、有机金属化合物CVD(MOCVD,MetalOrganicCVD):;七、等离子体增强CVD(PECVD,PlasmaEnhancedCVD):
1)概述:
①概念:在低压化学气相沉积过程进行同时,利用辉光、电弧、射频、微波等伎俩促使
反应气体放电产生等离子体,从而对反应沉积过程施加影响CVD技术。
②基本特征:
■应用等离子体CVD方法;
■采取低温等离子体(当地温度?、电子温度??);
■沉积时,基片温度很低;
■薄膜性能比其它CVD方法更佳。;七、等离子体增强CVD(PECVD,PlasmaEnhancedCVD):
④等离子体组成:
⑤等离子体作用:高能自由电子平均能量达1~20eV,足以使大多数气体电离/分解
?电子动能代替热能成为主要气体分解、活化驱动力
?粒子相互作用可很快取得高能态、高化学活性和高反应能力,
?而基片不会因额外加热而受损!
⑥PECVD与其它CVD方法根本区分:
1)等离子体中高能自由电子为化学反应提供了激活能Ea;
2)气体分子分解、化合、激发和电离主要来自电子与气体分子碰撞作用;
3)低温下即可形成高活性化学基团;4)低温薄膜沉积得以实现。
⑦低温实现CVD沉积好处:可防止;七、等离子体增强CVD(PECVD,PlasmaEnhancedCVD):
⑧PECVD沉积薄膜主要微观过程:
⑨PECVD分类:;七、等离子体增强CVD(PECVD,PlasmaEnhancedCVD):;七、等离子体增强CVD(PECVD,PlasmaEnhancedCVD):;4)直接激发式微波谐振型PECVD装置:
①工作原理:
?谐振腔套在石英管之外,微波天线(同轴线内导体)
将微波能量耦合至谐振腔内后,在腔内形成微波电场
驻波并引发谐振。
(工业用微波频率普通为2.45GHz,波长12cm)
?通有反应气体石英管穿过微波电场幅值最大谐振
腔中心部位,当微波电场强度超出气体击穿场强时,
气体电离形成等离子体。
?在等离子体下游放置基片并调整至适当温度,
就可取得CVD薄膜沉积。
②主要优点:
■无电极放电,不存在污染问题;
■微波能量更高,可在低压下实现气体电离,等离子体电荷密度更高,薄膜成份更纯净。;5)电子盘旋共振(ECR,ElectronCyclotronResonance)PECVD:
①工作原理:
?微波能量由长方形波导窗耦合进入反应器,使其中反应气体击穿电离形成等离子体。
?为深入提升等离子体电荷密度,还外加一个与微波电场相垂直磁场。
电子受力:;5)电子盘旋共振(ECR,ElectronCyclotronResonance)PECVD:
①工作原理:
?电子在流场压力及电磁场共同作用下,首先向下游移动,首先还以谐振频率发生高速盘旋运动,
?电子运动路径???电子与气体分子发生碰撞促使其电离几率??
?等离子体密度显著??(1012e/cm3)
?ECR装置实际上就是一个超高电荷密度离子源,
其产生等离子体含有极高电荷密度和活性!
②ECRPECVD基本特点:
■需要高真空环境:P=10-1~10-3Pa;
■气体电离程度靠近100%,比普通PECVD高3个数量级以上;
■EC
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