《光电显示成像原理》课件简介.pptVIP

*************************************5.3OLED的类型被动矩阵OLED（PMOLED）PMOLED采用简单的行列交叉驱动方式，没有集成晶体管。其结构简单，制造成本低，但存在明显局限性。驱动方式：直接由行列电极控制像素优点：结构简单，成本低，制造工艺简便缺点：分辨率低，功耗高，寿命短应用场景：小尺寸单色或区域显示，如MP3播放器显示屏、仪器仪表等有源矩阵OLED（AMOLED）AMOLED为每个像素集成有源驱动晶体管，实现独立控制，性能大幅提升。是现代OLED显示的主流技术。驱动方式：TFT晶体管控制每个像素优点：高分辨率，低功耗，快速响应，长寿命缺点：制造工艺复杂，成本高应用场景：高端智能手机、电视、VR头显等AMOLED根据使用的TFT材料不同，又可分为a-SiTFT（非晶硅）、LTPSTFT（低温多晶硅）和OxideTFT（氧化物）三种技术路线。其中LTPS具有高迁移率和稳定性，适合高端显示；OxideTFT则兼具良好性能和大面积制造优势，是大尺寸OLED的理想选择。5.4OLED的制作工艺蒸镀法适用于小分子OLED材料，通过真空热蒸发沉积有机物分子层。这种方法可以精确控制薄膜厚度和均匀性，是目前商业化OLED面板的主流工艺。蒸镀需要在高真空环境下进行，通常结合精密掩模版来实现图案化沉积。喷墨打印法适用于聚合物OLED材料，通过喷墨打印头将溶解在溶剂中的有机材料直接喷到特定位置。这种方法工艺简单，材料利用率高，特别适合大面积显示器的生产，但目前在精度和均匀性方面仍有待提高。其他工艺除上述主要方法外，OLED制造还涉及多种工艺技术，如旋涂法（适用于制备均匀薄膜的预处理层）、转移印刷法（用于特定图案的精确转移）以及激光熔融沉积等方法，这些技术在特定应用场景中各有优势。OLED的制造是一个复杂的多步骤过程，除了有机层的沉积外，还涉及基板准备、电极制作、薄膜晶体管制备（AMOLED）、封装等多个环节。其中封装是OLED制造的关键环节之一，因为有机材料对氧气和水分极为敏感。现代OLED采用玻璃封装、薄膜封装或混合封装技术，通过多层阻隔结构阻止水氧渗透。5.5OLED的性能优势自发光特性无需背光，像素级控制亮灭完美黑色和无限对比度优异的暗部细节表现低功耗（显示暗色内容时）柔性显示超薄结构，厚度可小于1mm可弯曲、折叠甚至卷曲形状自由度高，适应各种曲面开创全新产品形态的可能宽视角几乎180°全视角无色偏任何角度观看都色彩准确适合多人同时观看的场景曲面设计依然保持良好显示效果除了上述主要优势外，OLED还具有超快响应时间（微秒级）、宽色域（可覆盖100%DCI-P3甚至更宽）、广工作温度范围等特点。这些优势使OLED在高端显示市场占据重要地位，特别是在智能手机、可穿戴设备、高端电视等领域。当然，OLED也存在一些挑战，如蓝色材料寿命较短、可能存在烧屏问题、户外高亮度环境下的可视性不及LCD等。研究人员正在通过开发新材料、优化器件结构和引入补偿算法等方式解决这些问题。第六章：场发射显示（FED）原理场发射显示（FED）是一种结合了CRT和平板显示技术优点的显示技术。它采用阵列排布的微型场发射电子源取代CRT中的单一电子枪，每个像素有自己的电子源，电子束垂直轰击荧光屏，形成图像。FED继承了CRT的自发光特性和优异的显示性能，同时实现了平板化设计。虽然FED在技术上具有诸多优势，如快速响应、高对比度、宽视角和低功耗等，但由于制造工艺复杂、良率低等问题，尚未实现大规模商业化。本章将介绍FED的基本概念、结构、工作原理及性能特点，帮助学生了解这一独特的显示技术。6.1场发射的基本概念冷阴极电子发射场发射是一种冷阴极电子发射现象，在强电场作用下，固体表面的电子可以穿越势垒逸出。与热电子发射（如CRT中使用的）不同，场发射不需要加热阴极，因此被称为冷发射。当电场强度达到约10^7V/cm量级时，阴极表面的势垒变得足够窄，电子可以通过量子隧穿效应逸出材料表面。场发射电流与电场强度和阴极材料的功函数（电子逸出所需的最小能量）密切相关。场发射材料理想的场发射材料应具有低功函数、高电导率和良好的机械稳定性。常用的场发射材料包括：金属微尖：硅、钼等金属制成的微型尖锥碳纳米管（CNT）：优异的场发射特性，是当前研究热点石墨烯：二维碳材料，具有独特的电子性质金刚石薄膜：负电子亲和势材料，有利于电子发射场发射现象的关键是尖端效应（FieldEnhancement）——尖锐结构表面的电场强度远高于平面电极。利用这一特性，可以在相对