《新型光电子材料及其激光应用》课件.ppt

*************************************激光焊接在光电子封装中的应用芯片封装利用激光微焊接技术实现芯片与基板、芯片与引线之间的精密连接，替代传统的金线键合和焊锡工艺。激光焊接可实现更小的连接点（10μm）和更高的连接强度，适应高密度封装需求。光器件封装激光器、探测器等光电子器件对封装的气密性要求很高，采用激光焊接可实现金属盖板与基座的高质量密封，确保器件长期可靠运行。同时，激光焊接产生的热量小，不会损伤敏感的光学元件。传感器组装光电传感器通常需要将多种功能元件精确组装，激光焊接提供了微米级的连接精度，同时热影响小，不会导致光学元件错位或性能劣化。光学MEMS器件的封装尤其依赖这一技术。激光刻蚀激光刻蚀是利用高能量激光束与材料相互作用，精确去除表面特定区域材料的加工方法。根据激光与材料的相互作用机制，可分为光热刻蚀、光化学刻蚀和光物理刻蚀。这项技术在微电子、光电子器件制造中发挥着重要作用，可实现从微米到纳米尺度的高精度加工。激光刻蚀的机理1光热刻蚀激光能量被材料吸收后转化为热能，使材料温度迅速升高，达到熔点或沸点后发生熔融或汽化，从而去除材料。这种机制主要发生在连续波或长脉冲（纳秒级）激光作用下，适用于金属、半导体等材料的加工，但热影响区较大。2光化学刻蚀激光光子直接打断材料中的化学键，引起分子断裂或气化，而不通过热过程。这通常需要使用紫外激光，其光子能量足以直接断裂分子键。光化学刻蚀热影响小，表面质量好，特别适合聚合物和某些无机材料的高精度加工。3光物理刻蚀结合了光热和光化学机制，通常在超短脉冲（皮秒或飞秒）激光作用下发生。由于脉冲极短，材料来不及发生常规的热扩散，形成所谓的冷加工过程，热影响区极小，加工精度高，适用于几乎所有类型的材料。激光刻蚀在微纳加工中的应用薄膜图形化利用激光选择性去除薄膜材料特定区域，形成所需的电极、通道或功能区域。这一技术在薄膜晶体管、太阳能电池等薄膜器件制造中广泛应用，可实现亚微米级的加工精度，特别适合柔性基板上的图形化加工，不会像传统光刻工艺那样导致基板变形。微结构制造利用激光直写技术制造微光学元件、微流控通道、MEMS结构等功能微结构。激光刻蚀可实现复杂三维结构的直接加工，无需多次曝光和对准，简化了工艺流程。特别是飞秒激光加工，可在透明材料内部实现三维微结构的体内雕刻。表面功能化通过激光在材料表面制造特定微纳结构，改变表面的光学、电学或润湿性能。例如，激光制备的超疏水表面、光捕获结构、表面增强拉曼散射基底等，在传感器、光电探测器等领域有重要应用。激光沉积基本原理激光沉积是利用高能量密度的脉冲激光束照射目标材料，使其表面瞬间汽化形成等离子体羽流，粒子在基底上凝结形成薄膜的技术。最典型的方法是脉冲激光沉积（PLD），具有保持材料原始化学计量比、沉积速率可控、适用材料范围广等优点。系统组成典型的激光沉积系统包括激光器（通常是准分子激光器或Nd:YAG激光器）、光路系统、真空腔体、靶材和基片支架、气体控制系统和监测系统等。现代系统还配备原位监测设备，如反射高能电子衍射（RHEED）、椭偏仪等。工艺参数影响薄膜质量的关键参数包括激光能量密度、重复频率、基片温度、气体氛围及压力、靶基距离等。这些参数需要根据具体材料和应用需求进行优化，以获得所需的薄膜组成、结晶度、表面形貌和微结构。脉冲激光沉积技术成膜速率(nm/min)薄膜均匀性评分大面积适用性评分脉冲激光沉积（PLD）技术具有多种变体形式，适应不同材料体系和应用需求。传统PLD虽然成膜速率高，但均匀性和大面积适用性较差；扫描PLD通过移动激光束或靶材提高均匀性；基质辅助脉冲激光蒸发（MAPLE）适用于有机材料沉积；反应性PLD（RPLD）在活性气体氛围中进行，适合氧化物、氮化物等化合物薄膜的制备。激光沉积在薄膜制备中的应用氧化物薄膜PLD技术在高温超导体（如YBCO）、铁电体（如PZT）、透明导电氧化物（如ITO）等功能氧化物薄膜制备方面表现出色。这些材料通常具有复杂的化学组成，PLD可以精确保持其化学计量比，同时在氧气氛围中沉积，确保薄膜的氧含量和结晶质量。多层异质结构PLD适合制备多层薄膜和超晶格结构，通过控制靶材旋转和激光参数，可实现原子级精确的多层堆叠。这一特性在磁电子学、自旋电子学和量子结构研究中尤为重要，为新型光电功能器件提供了材料基础。低维材料PLD可用于生长二维材料（如MoS2、WS2薄膜）、量子点阵列和纳米结构。通过调控激光参数和生长条件，可实现对材料维度和形貌的精确控制，为研究低维材料的独特物理性质提供高质量样品。激光退火1基本原理激