2025年通信电子计算机技能考试-半导体芯片制造工考试近5年真题荟萃附答案.docx

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2025年通信电子计算机技能考试-半导体芯片制造工考试近5年真题荟萃附答案

第I卷

一.参考题库(共80题)

1.在半导体工艺中，硫酸常用于去除（）和配制（）等。

2.腐蚀二氧化硅的水溶液一般是用（）

A、盐酸

B、硫酸

C、硝酸

D、氢氟酸

3.热生长SiO2–Si系统中的电荷有哪些？

4.抛光片的电学参数包括电阻率，载流子浓度，迁移率，直径、厚度、主参考面等。（）

5.描述化学机械平坦化工艺。

6.例举硅片制造厂房中的7种玷污源。

7.什么是多层金属化？它对芯片加工来说为什么是必需的？

8.离子注入前一般需要先生长氧化层，其目的是什么？

9.离子在靶内运动时，损失能量可分核阻滞和电子阻滞，解释什么是核阻滞、电子阻滞？两种阻滞本领与注入离子能量具有何关系？

10.解释投射电子能显微镜。

11.解释光刻胶显影。光刻胶显影的目的是什么？

12.恒定表面源扩散的杂质分布在数学上称为（）分布。

A、高斯

B、余误差

C、指数

13.例举出半导体产业的8种不同职业并简要描述。

14.什么是外延层？为什么硅片上要使用外延层？

15.给出半导体质量测量的定义。例出在集成电路制造中12种不同的质量测量。

16.例举并描出旋转涂胶的4个基本步骤。

17.名词解释：high-k；low-k；Fabless；Fablite；IDM；Foundry；Chipless。

18.典型的GaAsMESFET结构IC的工艺流程？

19.离子注入层的杂质浓度主要取决于离子注入的（）。

A、能量

B、剂量

20.写出IC制造的5个步骤。

21.什么是两步扩散工艺，其两步扩散的目的分别是什么？

22.浸没式光刻机相对于传统的光刻机有何不同。

23.对净化间做一般性描述。

24.对RTP来说，很难在高温下处理大直径晶圆片而不在晶圆片边缘造成热塑应力引起的滑移。分析滑移产生的原因。如果温度上升速度加快后，滑移现象变得更为严重，这说明晶圆片表面上的辐射分布是怎样的？

25.气中的一个小尘埃将影响整个芯片的（）性、（）率，并影响其电学性能和（）性，所以半导体芯片制造工艺需在超净厂房内进行。

26.片状源扩散具有设备简单，操作方便，晶片缺陷少，均匀性、重复性和表面质量都较好，适于批量生产，应用越来越普遍。（）

27.应力分为压应力和张应力，下图的形状是由于哪种应力产生的？请在图上标出应力的方向。如果要让上面的结构材料变得平整，要怎么做？?

28.什么是硅化物？难熔金属硅化物在硅片制造业中重要的原因是什么？

29.例举在线参数测试的4个主要子系统。

30.厚膜浆料存在触变性，流体受到外力作用时黏度迅速下降，外力消失后，黏度迅速恢复原状。（）

31.微波混合集成电路是指工作频率从300MHz～100kMHz的混合集成电路，可分为分布参数微波混合集成电路和（）微波混合集成电路两类。

32.说明SiO2的结构和性质，并简述结晶型SiO2和无定形SiO2的区别。

33.外延层的迁移率低的因素有原材料纯度（）；反应室漏气；外延层的晶体（）；系统沾污等；载气纯度不够；外延层晶体缺陷多；生长工艺条件不适宜。

34.描述CVD反应中的8个步骤。

35.低温淀积二氧化硅生长温度低、制作方便，但膜不够致密，耐潮性和抗离子沾污能力较差。（）

36.说明水汽氧化的化学反应，水汽氧化与干氧氧化相比速度是快还是慢？为什么？

37.为什么晶体管栅结构的形成是非常关键的工艺？更小的栅长会引发什么问题？

38.钎焊密封工艺主要工艺条件有钎焊气氛控制、温度控制和密封腔体内（）控制。

39.Si-SiO2界面电荷有哪几种？简述其来源及处理办法。

40.刻蚀工艺有哪两种类型？简单描述各类刻蚀工艺。

41.简述几种典型真空泵的工作原理。

42.给出使用初级泵和真空泵的理由。

43.简述在芯片制造中对金属电极材料有什么要求？

44.反应离子腐蚀是（）。

A、化学刻蚀机理

B、物理刻蚀机理

C、物理的溅射刻蚀和化学的反应刻蚀相结合

45.质量输运限制CVD和反应速度限制CVD工艺的区别？

46.例举淀积的5种主要技术。

47.硅片关键尺寸测量的主要工具是什么？

48.在铜互连中，为什么要用铜扩散阻挡层？阻挡层分成哪几种，分别起什么作用？

49.离子注入层的深度主要取决于离子注入的（）。

A、能量

B、剂量

50.光刻工艺一般都要经过涂胶、（）、曝光、（）、坚膜、腐蚀、（）等步骤。

51.分别简述RVD和GILD的原理，它们的优缺点及应用方向。

52.溅射法是由（）轰击