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已知硅的晶格常数或单胞的边长，求两个相邻硅原子之间的中心距离。
问：对于一个立方晶格：
(a)晶面和方向矢量如图所示，求密勒指数。
(b)画出晶面为（011）、晶向为[011]的晶面和方向矢量。
问：
（a）1eV等于多少焦耳？
（b）在300K时，等于多少电子伏？
（c）在硅中施主和受主的电离能大约是多少？
（d）硅的
导带边缘被填满的状态几率正好等于价带边缘空态的几率。此时费米能级在哪里？
使用下图所给出的硅晶格单胞，回答下列问题：
（a）若如图所示，单胞的座标原点在立方体的后下方，通过点ABC的密勒指数是多少?
（b）由原点通过点D的方向矢量的密勒指数是多少？
（c）晶格常数为，硅晶格中最近邻原子的距离是多少？
（d）修改硅的单胞图，使之显示出施主性质。
答：
硅片中均匀掺入施主杂质，在温度时保持热平衡条件不变，。计算下表中硅片的性质。
答：
在给出的能带图中，标出下列能级的通常位置，并给予必要的说明。
（a）…本征费米能级
（b）…施主能级
（c）…受主能级
（d）…产生-复合中心
答：
（1）如下图所示，单位立方格子四个垂直边的中点和上下底面的面心分别有一个原子，在这个立方单元内有几个原子？
(2)问题（1）的立方单元，使用什么名字可表现该单元的特性？
简单立方
体心立方
面心立方
金刚石结构
答：
求图中所示平面的密勒指数
（a）
（b）
（c）
（d）
（e）
答：
10、在特殊半导体导带底之上电子状态所占的几率是。求在已知材料内费米能级的位置。
（a）
（b）
（c）
（d）
答：
11、在室温下，低掺杂硅的载流子散射机制主要是：
（a）载流子-载流子散射
（b）晶格散射
（c）电离杂质散射
（d）压电散射
答：
b
12、使用价键模型，描述（画出）施主的图像。
答：
13、使用能带图，描述（画出）时，位于施主上电子冻结的图像。
答：
14、说明为什么n型材料的电阻率比同样掺杂的p型材料电阻率要小很多。
答：
15、使用能带图，描述（画出）通过中心复合的图像。
答：
16、如果MOSFET中内部状态如下图所示，在右图所示的特性曲线上确定相应的工作点。
答：
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