数字电子技术（第五版） 课件 第7章 半导体存储器及可编程逻辑器件.pptx

;;RAM（Random-AccessMemory）;;;1.ROM的基本结构;字线（选择线）;存“1”;3.可编程ROM;（1）固定ROM;（2）可编程ROM（PROM）;表7.1.1各类存储器特性比较;ROM中的信息可以随时读出，但不可以随时写入；

数据不易丢失，断电亦保存；

ROM工作时无需刷新；

ROM电路结构简单，集成度可以很高，宜批量生产，价格便宜。;5.ROM的应用;【例1】一个ROM中的数据表如下所示：;◆SRAM：静态存储器（StaticRAM）

主要利用静态触发器的自保功能存储特性

*双极型RAM存储单元：TTL、ECL、IIL

*六管静态MOSRAM单元;2.SRAM的电路结构及工作原理;◆在RAM工作时可以随时从任何一个指定地址读出数据，也可以随时将数据写入任何一个指定的存储单元中去；

◆最大优点：读、写方便，使用灵活；

◆缺点：数据易失性，断电即丢失，需不断刷新。;1.RAM存储器容量的扩展;位扩展方式;字扩展方式;表7.1.2各片RAM电路的地址分配;先位扩展

再字扩展;;为构成4096×4位的RAM，需要（）片1024×1的RAM。;【例2】试用ROM设计一个七段字符显示的译码器，其真值表由下表给出。;?;【例3】试用ROM产生如下的一组多输出逻辑函数：;【例4】分析下图所示电路的逻辑功能。其中:WXYZ对应8421-BCD码的4位输出。;解：从该ROM中可在16个CP内读出如下数据：;;可编程逻辑器件（ProgrammableLogicDevice,简称PLD）——用户可以根据自己的需要，定义其逻辑功能的器件。;可编程逻辑器件PLD;2.PLD的基本结构;;;【例1】用组合型FPLA设计组合逻辑函数。;★PAL器件的基本电路结构如下：;★通用阵列逻辑（GenericArrayLogic,GAL）的推出主要是为了克服PAL器件输出电路不可改写的缺陷。;;;1.逻辑块;XC9500系列：n=36，m=18

MAX7000S系列：n=36，m=16;n;n;n;2.I/O块;;;3.可编程内部连线;实现可编程互连的方法有两种：;厂商;;反熔丝：

熔丝编程前呈现高阻状态，相当于断开，加高电压编程后，熔丝电阻变小，相当于导通。占用面积小。;;异或逻辑真值表;异或逻辑真值表;;3输入LUT结构;6输入LUT结构;6输入LUT结构;6输入LUT结构;;1.可配置逻辑块（CLB）;可以实现：

两个独立的4变量任意逻辑函数;可以实现：

两个独立的4??量任意逻辑函数

5变量的任意逻辑函数;可以实现：

两个独立的4变量任意逻辑函数

5变量的任意逻辑函数

2位二进制加法器

;可以实现：

两个独立的4变量任意逻辑函数

5变量的任意逻辑函数

2位二进制加法器

时序逻辑电路

;可以实现：

两个独立的4变量任意逻辑函数

5变量的任意逻辑函数

2位二进制加法器

时序逻辑电路

存储器

;2.输入／输出块（IOB）;图7.4.3IOB的简化结构框图;图7.4.3IOB的简化结构框图;图7.4.3IOB的简化结构框图;图7.4.3IOB的简化结构框图;图7.4.3IOB的简化结构框图;3.可编程互联网络;