模电第05章场效应管放大电路(康华光).pptVIP

第五章场效应管放大电路(JFET部分)重点：1.掌握场效应管的工作原理、特性曲线；2.学会判断场效应管的工作状态；3.掌握场效应管放大电路(特别是结型场效应管JFET放大电路)的分析方法。2、符号gsdp+p+漏极d源极s栅极gN§5.3结型场效应管JFET一.N沟道结型场效应管(N沟道JFET)1、结构——两个PN结夹着一个N型沟道。3.N沟道JFET的放大原理(以共源极接法为例)N沟道JFET共源极接法的接线：+vGS-gsd+vDS-igiD+VCC-RD经实验证明:(1)VPvGS≤0时,栅极电流ig≈0vGS0:非工作区域,此时ig0(2)当栅源电压vGS变化,漏源电压vDS=constant0时:vGS≤VP(夹断电压,VP＜0):漏极电流iD=0VPvGS≤0:vGS越大,iD越大——互导放大作用(3)当漏源电压VDS变化,栅源电压VPvGS=constant0时:0vDS(vGS-VP):vDS增大,iD线性越大vDS(vGS-VP):vDS越大,iD恒定;且iD=IDSS(1-vGS/VP)24.N沟道JFET的内部微观原理(1)当栅源电压vGS变化,漏源电压vDS≥0时当vGS＜0时当vGS≤VP时(固定参数)?沟道夹断?PN结反偏?耗尽层加厚?沟道变窄当vGS0时?PN结正偏,耗尽层变薄当vGS=0时?N沟道最宽?ig0,非工作区域?这时若vDS≥0,则iD≥0?同样的vDS情况iD??iD=0(2)当栅源电压vGS=constant＞VP,漏源电压vDS变化时由于vGS＞VP,所以导电沟道未夹断。a.当vDS=0时,iD=0。b.当vDS?→iD?→沟道产生电位梯度,靠近漏极d处的耗尽层加宽,沟道变窄,呈楔形分布。c.当vDS再?,使vDS=vGS-VP时,在靠漏极处夹断——预夹断。即:预夹断前,vDS?→iD?;预夹断后,vDS?→iD几乎不变。d.当vDS再?→预夹断点下移→夹断区延长→沟道电阻?→iD基本不变(3)由于VPvGS≤0时,g与d、s之间是两个反向偏置的二极管,所以栅极电流ig≈0。5、N沟道结型场效应管的特性曲线(1)转移特性曲线(iD?vGS/vDS=constant)夹断电压VPIDSSID/mAVGS/V1234-3–2–10饱和漏极电流IDSS、VP——结型和耗尽型MOS管的固定参数注意：VP＜0,正常工作电压vGS≤0,栅极电流ig≈0+vGS-gsd+vDS-igiD+VCC-RD——低频跨导,参数之一曲线上某点的斜率：(2)输出特性曲线(iD?vDS/vGS=constant)(漏极特性曲线)VGS=-1VVGS=-2VVGS=VP0VDS/VID/mA432148121620VGS=0预夹断轨迹:vDS=vGS-VP可变电阻区恒流区截止区+vGS-gsd+vDS-igiD+VCC-RD6.工作区域的特点及其工作区域判断(1)截止区判断：VGS＜VP特点：iD＝0这时场效应管D、S端相当于:一个断开的开关。VGS=-1VVGS=-2VVGS=VP0VDS/VID/mA432148121620VGS=0截止区+vGS-gsd+vDS-igiD+VCC-RD(2)可变电阻区(线性区)判断：vGS＞VP,vDS≤vGS-VP特点:rds是一个受vGS控制的可变电阻vGS越大,rds越小。当VGS足够大(如:vGS＝0)时场效应管D~S端相当于:一个接通的开关。VGS=-1VVGS=-2VVGS=VP0VDS/VID/mA432148121620VGS=0可变电阻区+vGS-gsd+vDS-igiD+VCC-RD(3)恒流区(饱和区、放大区)判断:VGS＞VP,vDS＞vGS-VP特点:vDS