有序介孔镓基半导体材料：合成、性能与应用的深度探究.docx

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2025-04-12 发布于上海
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有序介孔镓基半导体材料：合成、性能与应用的深度探究

一、引言

1.1研究背景与意义

半导体材料作为现代科技的关键基础，其发展历程见证了人类科技的飞速进步。从1833年英国物理学家迈克尔?法拉第首次发现硫化银的半导体性质，到1947年第一个晶体管的问世，半导体材料开启了电子学新时代，为后续的工业化生产和制备技术奠定了坚实基础。此后，随着技术的不断革新，半导体材料经历了从第一代以硅（Si）、锗（Ge）为代表，到第二代以砷化镓（GaAs）、磷化铟（InP）为代表，再到第三代以氮化镓（GaN）、碳化硅（SiC）为代表，以及如今第四代以氧化镓（Ga?O?）、氮化铝（AlN）等为代表的演变。每