典型的cmos制造工艺流程试题.docVIP

1.CMOS制造工艺的第一步通常是制备硅衬底，常用的衬底材料是什么？

A.单晶硅

B.多晶硅

C.非晶硅

D.金属硅

答案：A

2.在制备硅衬底后，通常会在其上形成一层厚度为几纳米至几十纳米的什么层？

A.金属层

B.氧化层

C.氮化层

D.硅化层

答案：B

3.接下来会沉积一层厚度约为几百纳米的多晶硅层，这层的主要用途是什么？

A.制造晶体管的栅极

B.制造晶体管的源极和漏极

C.制造晶体管的沟道

D.制造晶体管的绝缘层

答案：B

4.在多晶硅层上使用光刻技术定义出互补MOSFET的什么区域？

A.栅极

B.源极和漏极

C.沟道

D.有源区

答案：B

5.形成栅极时，通常使用的沉积方法是？

A.化学气相沉积

B.物理气相沉积

C.电镀

D.热蒸发

答案：A

6.形成源极和漏极时，使用的掺杂方法是什么？

A.离子注入

B.扩散

C.外延生长

D.溅射

答案：A

7.在形成源极和漏极后，需要进行的热处理过程是什么？

A.淬火

B.退火

C.正火

D.回火

答案：B

8.CMOS工艺流程中，隔离技术的目的是为了什么？

A.提高速度

B.减少功耗

C.阻断器件间的电流和电压信号干扰

D.增加集成度

答案：C

9.浅槽隔离（STI）的基本工艺步骤不包括以下哪一步？

A.干法刻蚀形成硅槽

B.氧化表面处理

C.沉积SiO?填充硅槽

D.湿法刻蚀去除Si?N?

答案：D

10.LDD结构的主要作用是什么？

A.提高阈值电压

B.降低亚阈值摆幅

C.防止热电子退化效应

D.增加电流驱动能力

答案：C

11.短沟道效应会导致以下哪个现象？

A.阈值电压随沟道长度增加而降低

B.漏致势垒降低

C.载流子表面散射减少

D.速度饱和增强

答案：B

12.穿通电流造成的亚阈值摆动（SS）是什么的衡量指标？

A.晶体管开启与关断状态之间的转换速率

B.晶体管的放大倍数

C.晶体管的功耗

D.晶体管的频率响应

答案：A

13.DIBL效应会导致以下哪个结果？

A.阈值电压升高

B.亚阈值漏电增加

C.电流驱动能力增强

D.开关速度加快

答案：B

14.CMOS工艺流程中，形成互连线的金属层通常是什么？

A.铝

B.铜

C.银

D.金

答案：B

15.在CMOS工艺流程中，光刻胶的作用是什么？

A.保护下方的硅不被刻蚀

B.作为掩模传递图案

C.促进化学反应

D.提高平整度

答案：B

16.CMP（化学机械研磨）的主要目的是什么？

A.去除表面的杂质

B.平坦化表面

C.改变材料的化学性质

D.增强材料的机械性能

答案：B

17.CMOS工艺流程中，离子注入的主要目的不包括以下哪一项？

A.调整阈值电压

B.形成源极和漏极

C.增强载流子的迁移率

D.形成栅氧层

答案：D

18.在CMOS工艺流程中，牺牲氧化层的主要作用是什么？

A.作为掩模材料

B.防止硅被过度氧化

C.提高栅氧层的质量

D.形成导电通道

答案：A

19.CMOS集成电路制造中，常采用的隔离技术是？

A.pn结隔离

B.介质隔离

C.pn结介质混合隔离

D.以上都是

答案：D

20.CMOS工艺流程中，形成栅极的材料通常是？

A.多晶硅或金属

B.SiO?

C.Si?N?

D.Al

答案：A。