铂钴铬二氧化硅溅射靶材.doc

YS/T××××—××××

YS/T××××—××××

PAGE2

PAGE1

YS中华人民共和国工业和信息化部发布××××-××-××实施××××-××-××

YS

中华人民共和国工业和信息化部发布

××××-××-××实施

××××-××-××发布

铂钴铬二氧化硅溅射靶材

Platinum-Cobalt-Chromium-SiliconDioxideSputteringTarget

（预审稿）

YS/Txxxx-202x

中华人民共和国有色金属行业标准

ICS77.120.99

CCSH68

PAGE2

PAGE1

前言

本文件按照GB/T1.1-2020《标准化工作导则第1部分：标准化文件的结构和起草规则》的规定起草。

本文件由全国有色金属标准化技术委员会(SAC/TC243)提出并归口。

本文件负责起草单位：云南省贵金属新材料控股集团股份有限公司、贵研先进新材料（上海）有限公司、云南贵金属实验室有限公司、杭州立昂微电子股份有限公司、有研亿金新材料有限公司、采晶新材（北京）科技有限公司、浙江工业大学、温州大学、金川集团股份有限公司、成都光明派特贵金属有限公司。

本文件起草人：闻明、巢云秀、王传军、管伟明、谭志龙、许彦亭、咸春雷、刘伟、卢海参、贺昕、刘君民、朱武勋、唐谊平、陈希章、张亚东、鹏辉。

铂钴铬二氧化硅溅射靶材

范围

本文件规定了铂钴铬二氧化硅溅射靶材的分类和标记、技术要求、试验方法、检验规则及标志、包装、运输、贮存及随行文件和合同（或订货单）内容。

本文件适用于以高纯铂、钴、铬、二氧化硅为原料，经粉末冶金烧结工艺制得的铂钴铬二氧化硅靶材，产品主要用于机械硬盘磁存储介质的磁记录层材料。

规范性引用文件

下列文件中的内容通过文中的规范性引用而构成本文件必不可少的条款。其中，注日期的引用文件，仅该日期对应的版本适用于本文件；不注日期的引用文件，其最新版本(包括所有的修改单)适用于本文件。GB/T1804一般公差未注公差的线性和角度尺寸的公差

GB/T14265金属材料中氢、氧、氮、碳和硫分析方法通则

GJB1580A变形金属超声检验方法

GB/T15823无损检测氦泄漏检测方法

GB/T32661-2016球形二氧化硅微粉

GB/T15072.3贵金属合金化学分析方法金、铂、钯合金中铂量的测定高锰酸钾电流滴定法

GB/T1031产品几何技术规范（GPS)表面结构轮廓法表面粗糙度参数及其数值

GB/T6394金属平均晶粒度测定方法

YS/T1011高纯钴化学分析方法杂质元素含量的测定辉光放电质谱法

YS/T1330.1钴铬烤瓷合金化学分析方法第1部分：钴含量的测定碘量法和电位滴定法

YS/T1330.2钴铬烤瓷合金化学分析方法第1部分：铬含量的测定硫酸亚铁铵滴定法

YS/T837溅射靶材-背板结合质量超声波检验方法

YS/T1124磁性溅射靶材透磁率测试方法

JB/T3064-2011粉末冶金摩擦材料化学分析方法

3术语和定义

本文件没有需要界定的术语和定义。

4分类和标记

4.1产品分类

4.1.1按照结构形式分为单体和焊接两种。

4.1.2按照化学成分划分牌号为PtCoCrSiO2-4N,PtCoCrSiO2-5N。

4.1.3按照制备方法为粉末冶金一种方法。

5技术要求

5.1化学成分

5.1.1铂钴铬二氧化硅靶材由高纯铂、钴、铬、硅、氧五种元素构成，其化学成分比例依据客户要求确定，铂、钴、铬允许偏差为±0.5at%，硅、氧允许偏差为±1at%。具体示例产品如表1所示。

表1铂钴铬二氧化硅靶材的合金成分及允许偏差

序号

合金牌号

合金成分（at%）

Pt

Co

Cr

SiO2

1

Pt14Co68Cr10SiO2

14±0.5

68±0.5

10±0.5

余量

2

Pt18Co64Cr10SiO2

18±0.5

64±0.5

10±0.5

余量

3

Pt10Co72Cr10SiO2

10±0.5

72±0.5

10±0.5

余量

5.1.2铂钴铬二氧化硅靶材的化学成分应符合表2的规定。

表2铂钴铬二氧化硅靶材的化学成分（质量分数）/%

产品牌号

PtCoCrSiO2-4N

PtCoCrSiO2-5N

铂钴铬二氧化硅含量，不小于

99.99

99.999

金属杂质元素含量，不大于

Al

0.002

0.0001

Cu

0.001

0.0003

Fe

0.0005

0.0003

V

0.0005

0.