《半导体集成电路》课件——集成电容器.pptx

集成电容器主讲人：

目录集成电容器的基本概念1集成电容器的制造工艺2集成电容器的应用领域3集成电容器的设计注意事项4

集成电容器的基本概念一

集成电容器是将电容特性嵌入到半导体芯片中的一种元件。优点：体积小、性能高、集成度高

广泛用于集成电路适用于高频应用某些特定应用中使用，具有较高的电容量集成电容器类型MOS电容器双极电容器电介质电容器

集成电容器的制造工艺二

集成电容器的制造工艺与CMOS和集成电阻器相似，但也有其独特之处。

高纯度的单晶硅片（一）硅片准备

在硅片表面生长一层二氧化硅，作为电容器的电介质层。（二）热氧化工艺防止电流泄漏

涂布光刻胶，使用掩膜版将电容器的形状转印到光刻胶上。刻蚀掉不需要的材料，留下所需的电容器结构。（三）光刻与刻蚀

（四）金属沉积决定沉积金属金属的厚度电极的面积电容器的电容值

（五）后处理热处理器改善电容器的性能和稳定性

集成电容器的应用领域三

存储功能：在存储器件中，存储电荷以保持数据。频率选择：在调谐电路中，用于实现特定的频率响应。去耦合：用于去耦合电源信号，减少电源噪声对电路的影响。信号耦合：在放大器和滤波器电路中，用于信号的传输和分离成电容器在现代电子设备中有着广泛的应用

集成电容器的设计注意事项四

集成电容器的设计注意事项：电容值的选择电介质材料的选择

温度系数尺寸和布局电容值可能会随温度变化而改变

总结五

集成电容器的基本概念、制造工艺和应用领域

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