2025届湖南省示范名校高三下学期二模（4月）物理试题含解析.docVIP

2025届湖南省示范名校高三下学期二模（4月）物理试题

注意事项：

1．答卷前，考生务必将自己的姓名、准考证号、考场号和座位号填写在试题卷和答题卡上。用2B铅笔将试卷类型（B）填涂在答题卡相应位置上。将条形码粘贴在答题卡右上角条形码粘贴处。

2．作答选择题时，选出每小题答案后，用2B铅笔把答题卡上对应题目选项的答案信息点涂黑；如需改动，用橡皮擦干净后，再选涂其他答案。答案不能答在试题卷上。

3．非选择题必须用黑色字迹的钢笔或签字笔作答，答案必须写在答题卡各题目指定区域内相应位置上；如需改动，先划掉原来的答案，然后再写上新答案；不准使用铅笔和涂改液。不按以上要求作答无效。

4．考生必须保证答题卡的整洁。考试结束后，请将本试卷和答题卡一并交回。

一、单项选择题：本题共6小题，每小题4分，共24分。在每小题给出的四个选项中，只有一项是符合题目要求的。

1、如图所示，压缩的轻弹簧将金属块卡在矩形箱内，在箱的上顶板和下底板均安有压力传感器，箱可以沿竖直轨道运动。当箱静止时，上顶板的传感器显示的压力F1=2N，下底板传感器显示的压力F2=6N，重力加速度g=10m/s2。下列判断正确的是（）

A．若加速度方向向上，随着加速度缓慢增大，F1逐渐减小，F2逐渐增大

B．若加速度方向向下，随着加速度缓慢增大，F1逐渐增大，F2逐渐减小

C．若加速度方向向上，且大小为5m/s2时，F1的示数为零

D．若加速度方向向下，且大小为5m/s2时，F2的示数为零

2、质量为m的光滑圆柱体A放在质量也为m的光滑“V”型槽B上，如图，α=60°，另有质量为M的物体C通过跨过定滑轮的不可伸长的细绳与B相连，现将C自由释放，则下列说法正确的是()

A．当M=m时，A和B保持相对静止，共同加速度为0.5g

B．当M=2m时，A和B保持相对静止，共同加速度为0.5g

C．当M=6m时，A和B保持相对静止，共同加速度为0.75g

D．当M=5m时，A和B之间的恰好发生相对滑动

3、下列说法正确的是（）

A．卢瑟福的粒子散射实验揭示了原子核具有复杂的结构

B．在一根长为0.2m的直导线中通入2A的电流将导线放在匀强磁场中，受到的安培力为0.2N，则匀强磁场的磁感应强度的大小可能是0.8T

C．伽利略利用理想斜面实验得出物体不受外力作用时总保持静止或匀速直线运动的状态，开创了物理史实验加合理外推的先河

D．比值定义法是物理学中定义物理量的一种常用方法，电流强度I的定义式是

4、将质量为1.00kg的模型火箭点火升空，50g燃烧的燃气以大小为600m/s的速度从火箭喷口在很短时间内喷出。在燃气喷出后的瞬间，火箭的动量大小为（喷出过程中重力和空气阻力可忽略）

A．30 B．5.7×102

C．6.0×102 D．6.3×102

5、太空垃圾是围绕地球轨道的有害人造物体，如图所示是漂浮在地球附近的太空垃圾示意图，对此有如下说法，正确的是（）

A．太空垃圾一定能跟同一轨道上同向飞行的航天器相撞

B．离地越低的太空垃圾运行角速度越小

C．离地越高的太空垃圾运行加速度越小

D．离地越高的太空垃圾运行速率越大

6、如图甲所示电路，理想变压器原线圈输入电压如图乙所示，副线圈电路中R0为定值电阻，R是滑动变阻器，C为耐压值为22V的电容器，所有电表均为理想电表。下列说法正确的是（）

A．副线圈两端电压的变化频率为0.5Hz

B．电流表的示数表示的是电流的瞬时值

C．滑动片P向下移时，电流表A1和A2示数均增大

D．为保证电容器C不被击穿，原副线圈匝数比应小于10：1

二、多项选择题：本题共4小题，每小题5分，共20分。在每小题给出的四个选项中，有多个选项是符合题目要求的。全部选对的得5分，选对但不全的得3分，有选错的得0分。

7、利用霍尔效应制作的霍尔元件，广泛应用于测量和自动控制等领域。霍尔元件常用两种半导体材料制成：一类是N型半导体，其载流子是电子，另一类是P型半导体，其载流子称为“空穴”，相当于带正电的粒子。把某种材料制成的长方体霍尔元件竖直放在匀强磁场中，磁场B的方向垂直于霍尔元件的工作面，当霍尔元件中通有如图所示方向的电流I时，其上、下两表面之间会形成电势差。则下列说法中正确的是（）

A．若长方体是N型半导体，则上表面电势高于下表面电势

B．若长方体是P型半导体，则上表面电势高于下表面电势

C．在测地球赤道的地磁场强弱时，元件的工作面应与所在位置的水平面平行

D．在测地球两极的地磁场强弱时，元件的工作面应与所在位置的水平面平行

8、如图甲所示，质量为m、电阻为r的金属棒ab垂直放置在光滑水平导轨上，导轨由两根足够长、间距为d的平行金属杆组成，其电阻不计，在导轨左端接有阻值R的电阻，金属棒与导轨接触良好，整个装置位于磁感应强度为B的匀强磁场中。从某