气体放电—均匀电场中的气体放电过程（高电压技术）.pptx

1-4不同电压形式下空气间隙的击穿;1-2均匀电场中的放电;;;OA段:由于外界催离素;AB段：U;自由电子e将按几何级数迅猛增加，如雪崩一样发展。这个不断增加的电子流被形象地称为电子崩。此阶段称为汤逊放电阶段。;当外施电压U＜Ub时，若取消外界游离因素，电子崩会消失，电流也将消失，这类放电称为非自持放电。;C点后：

当外施电压U≥Ub时，由于场强足够大，正离子撞击阴极会发生表面游离，释放出的电子又会引起电子崩，这时气体中的游离过程可只靠电场的作用自行维持，而不再需要外界游离因素，这就是自持放电。;为了解释上面试验结果，汤逊于1903年提出气体击穿机理，1910年提出气体击穿的判据。;;γ——正离子的表面游离系数，表示一个正离子在电场作用下由阳极向阴极运动，撞击阴极表面产生表面游离的电子数;电子崩？;（4）汤逊自持放电条件;;（5）巴申定律;（5）巴申定律;解释低气压、短间隙、均匀电场中的放电现象，即pd较小时。pd过大，汤逊理论就不再适用。

pd过大时（气压高、距离大）汤逊理论无法解释：

放电时间：很短

放电外形：具有分支的细通道

击穿电压：与理论计算不一致

阴极材料：无关;（1）认为：电子的碰撞游离和空间光游离是形成自持放电的主要因素，并且强调了空间电荷对电场的畸变作用;流注理论认为电子的碰撞游离和空间光游离是形成自持放电的主要因素，空间电荷对电场的畸变作用是产生光游离的重要原因。

;;外施电压大于气隙击穿电压时，首先形成主电子崩。;流注的形成及发展过程（定性）;（3）流注自持放电条件

初崩头部的电荷达到一定的数量（一般认为当ad?20或eαd=108）时便可以形成流注，而流注一旦形成，放电就可以转入自持;放电时间

二次崩的起始电子是光子形成的，而光子以光速传播，所以流注发展非常快。

放电外形

二次崩的发展具有不同的方位，所以流注的推进不可能均匀，而且具有分支。

阴极材料

大气条件下的气体放电不依赖阴极表面电离，而是靠空间光电离产生电子维持，因此与阴极材料无关。;高电压技术—均匀电场中的气体放电

;气体放电过程的一般概述;;;;AB段：由外界因素产生的带电质点已全部参与了导电过程，气隙间电流趋于饱和，电压增大时，电流增大的幅度很小。（饱和段）;OA段:;AB段：;自由电子e将按几何级数迅猛增加，如雪崩一样发展。这个不断增加的电子流被形象地称为电子崩。

——汤逊放电阶段;若取消外界游离因素，电子崩会消失，电流也将消失——非自持放电。;当外施电压U≥Ub时，由于场强足够大，正离子撞击阴极会发生表面游离，释放出的电子又会引起电子崩，这时气体中的游离过程可只靠电场的作用自行维持，而不再需要外界游离因素，这就是自持放电。;非自持放电;;;为了解释上面试验结果，汤逊于1903年提出气体击穿机理，1910年提出气体击穿的判据。;;一个正离子撞击阴极从阴极表面逸出的自由电子数;n0个电子在向阳极运动的过程中，行经距离x时变成了n个电子，再行经dx，增加的电子数为dn个，则：;n0个电子在电场作用下不断产生碰撞游离，发展电子崩，经距离d而进入阳极的电子数为：;;巴申定律实验曲线的解释;适用于低气压、短间隙、均匀电场中的放电现象，即pd较小时。

;1.理论基础：;;外施电压大于气隙击穿电压时，首先形成主电子崩。;;（3）流注自持放电条件

;2.适用范围;汤逊理论与流注理论互相补充，从而在广阔的pd范围内说明了不同的放电现象。