模电课后习题答案.pdfVIP

习题：

一.填空题

1.半导体的导电能力与温度、光照强度、掺杂浓度和材料性质有关。

2.用PN结击穿时的特性可制成稳压二极管,用发光材料可制成发光二级管,用PN

结的光敏性可制成光敏（光电）二级管。

3.在本征半导体中参加5价元素可形成N型半导体,参加3价元素可形成P型半导

体。N型半导体中的多子是一自由电子：p型半导体中的多子是空穴。

4.PN结外加正向电压时导通外加反向电压时截止这种特性称为PN结的单向导电

a0

5.通常情况下硅材料二极管的正向导通由压为0.7v,错材料二极管的正向导通电压为

0.2v«

6..理想二极管正向电阻为_0,反向电阻为,这两种状态相当于一个开关.

7.•晶体管的三个工作区分别为放大区、截止区和饱和区、

8..稳压二极管是用PN结的反向击穿特性特性制作的。

9..三极管从结构上看可以分成PNP和NPN两种类型。

10.晶体三极管工作时有自由电子和空穴两种截流子参与导电,因此三极管又称为

双极型晶体管。

11.设晶体管的压降UCE不变，基极电流为20uA时，集电极电流等于2mA,那么B=_100_。

12.场效应管可分为绝缘栅效应管和结型两大类,目前广泛应用的绝缘栅效应管是MOS

管，按其工作方式分可分为耗尽型和增强型两大类,每一类中又分为N沟

道和P沟道两种。

13.查阅电子器件手册，/解以卜常用三极管的极限参数，并记录填写题表2-1在卜表中

题表2-1

二.选择题

1.杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于

A、杂质浓度B、温度C、输入D、电压

2理想二极管加正向电压时可视为B,加反向电压时可视为A。

A.开路B.短路C.不能确定

3.稳压管的稳压区是二极管工作在D状态。

A.正向导通B.反向截止C.反向导通D.反向击穿

4.当温度升高时，二极管的反向饱和电流将A

A.增大B.不变C.减小

5.工作在放大区的某晶体管，如果当k从12HA增大到22HA时，1c从1mA变为2mA,那么它的B约

为CC

A.83B.91C.1OO

6.当场效应管的漏极直流电流小从2mA变为4mA时，它的低频跨导gm将_£。

A、增大B、不变C、减小

7.〃GS=0时，能够工作在恒流区的场效应管有A和C0

A、结型管B、增强型MOS管C、耗尽型MOS管

8.场效应管属于A控制型器件，晶体三极管那么属于B控制器件。

A、电压B、电流C、中感D、电容。

9.测得某放大电路中三极管各级电位分别为3v、2.3v、1