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第二章太阳能电池原理2.1半导体物理基础2.2光生伏特效应2.3金属-半导体接触和MIS结构2.4太阳能电池结构及性能测试2.5太阳能电池材料分类

2.1半导体物理基础原子的能级和晶体的能带制造半导体器件所用的材料大多是单晶体。单晶体是由靠得很紧密的原子周期性重复排列而成，相邻原子间距只有几个埃的量级。半导体的能带结构

半导体的晶体结构结构类型半导体材料金刚石型Si，金刚石，Ge闪锌矿型GaAs，ZnO，GaN，SiC纤锌矿型InN，GaN，ZnO，SiCNaCl型PbS，CdO2.1半导体物理基础

半导体的结合方式：主要共价键1晶体的结合形式离子性结合，共价结合，金属性结合和分子结合（范得瓦尔斯结合）四种不同的基本形式。2共价键特点饱和性：一个原子只能形成一定数目的共价键；方向性：原子只能在特定方向上形成共价键；32.1半导体物理基础

电子的共有化运动当原子相互接近，不同原子的内外各电子壳层之间就有一定程度的交叠，相邻原子最外层交叠最多，内壳层交叠较少。原子组成晶体后，由于电子壳层的交叠，电子不再完全局限在某一原子上，可以由一个原子转移到相邻的原子上去，因而，电子可以在整个晶体中运动，这种运动称为电子的共有化运动。电子只能在相似壳层间转移；最外层电子的共有化运动最显著；2.1半导体物理基础

当N个原子互相靠近形成晶体后，每一个N度简并的能级都分裂成N个彼此相距很近的能级，这N个能级组成一个能带，这时电子不再属于某一个原子而是在晶体中作共有化运动。分裂的每一个能带都称为允带，允带之间因没有能级称为禁带。N个原子2个原子6个原子2.1半导体物理基础

0102030405060708原子能级能带允带禁带禁带允带允带2.1半导体物理基础原子能级分裂为能带

2.1半导体物理基础能带结构是晶体的普遍属性价电子的基本特征：1.价电子的局域性2.价电子的非局域性Bloch定理：uk(r):与晶格平移周期一致的周期函数晶体中价电子可用被周期调制的自由电子波函数描述周期函数反映了电子的局域特性自由电子波函数反映了电子的非局域特性由于电子波函数的空间位相有自由电子波函数一项决定，Bragg衍射同样发生能带必然存在，能带结构是晶体的必然属性

2、金属、绝缘体和半导体所有固体中均含有大量的电子，但其导电性却相差很大。固体能够导电，是固体中电子在外电场作用下作定向运动的结果。也就是说，电子与外电场间发生了能量交换。对于所有能级均被电子所占满的能带（满带），在外电场作用下，其电子并不形成电流，对导电没有贡献。------满带电子不导电。通常原子中的内层电子都是占满满带中的能级，因而内层电子对导电没有贡献。对于被电子部分占满的能带（导带），在外电场作用下，电子可从外电场吸收能量跃迁到未被电子占据的能级去，从而形成电流，起导电作用。-----导带电子有导电能力。2.1半导体物理基础

Eg6eV01Eg02绝缘体03半导体04价带05导带06导体07根据能带结构，分为：082.1半导体物理基础

01.直接带隙02.间接带隙2.1半导体物理基础半导体的能带结构

直接带隙价带的极大值和导带的极小值都位于k空间的原点上。价带的电子跃迁到导带时，只要求能量的改变，而电子的准动量不发生变化，称为直接跃迁。直接禁带半导体：GaAs，GaN，ZnO2.1半导体物理基础

间接带隙价带的极大值和导带的极小值不位于k空间的原点上。价带的电子跃迁到导带时，不仅要求电子的能量要改变，电子的准动量也要改变，称为间接跃迁间接禁带半导体：Si，Ge2.1半导体物理基础

金属半导体功函数j电子亲和势c表面能带弯曲几个概念：功函数，电子亲和势，表面能带弯曲半导体物理基础

2.1.2半导体的电子状态和电子分布半导体物理基础孤立原子的电子状态孤立原子的电子只在该原子核的势场中运动金属的电子状态金属元素的价电子为所有原子（或离子）所共有，可以在整个金属晶格的范围内自由运动，称为自由电子。自由电子是在一恒定为零的势场中运动

晶体中的某一个电子是在周期性排列且固定不动的原子核势场以及其它大量电子的平均势场中运动大量电子的平均势场也是周期性变化的，而且它的周期与晶格的周期相同。两者的共同点在于都有一个恒定的势场。因而可以先分析自由电子的状态，接着再考虑加上一个平均场后的电子状态半导体的电子状态2.1半导体物理基础

金属中的准自由电子（价电子）模型金属中的自由电子除去与离子实相互碰撞的瞬间外，无相互作用。电子所受到的势能函数为常数。电子波函数仍然为自由电子波函数电子受到晶格的散射，当电子的波矢落到布里渊区边界时，发生Bragg衍射0102能带的准自由电子物理模型

21自由电子与时间因素无关，因而波函数可以