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在換向速度(寄生二極體反向電流變化率)一定時，CSOA由漏極正向電壓UDS(即二極體反向電壓UR)和二極體的正向電流的安全運行極限值IFM來決定。2.6.2電力場效應電晶體的特性

與主要參數圖2.6.7VDMOS的CSOA曲線3、安全工作區③換向安全工作區(CSOA)換向安全工作區(CSOA)是器件寄生二極體或集成二極體反向恢復性能所決定的極限工作範圍。如圖2.6.7所示2.1、電力電子器件的基本模型2.2、電力二極體2.3、晶閘管2.4、可關斷晶閘管2.5、電力電晶體2.6、電力場效應電晶體2.7、絕緣柵雙極型電晶體2.8、其他新型電力電子器件2.9、電力電子器件的驅動與保護第二章、電力電子器件2.7、絕緣柵雙極型電晶體IGBT：絕緣柵雙極型電晶體(InsulatedGateBipolarTransistor)。兼具功率MOSFET高速開關特性和GTR的低導通壓降特性兩者優點的一種複合器件。IGBT於1982年開始研製，1986年投產，是發展最快而且很有前途的一種混合型器件。目前IGBT產品已系列化，最大電流容量達1800A，最高電壓等級達4500V，工作頻率達50kHZ。在電機控制、中頻電源、各種開關電源以及其他高速低損耗的中小功率領域，IGBT取代了GTR和一部分MOSFET的市場。2.7.1絕緣柵雙極型電晶體及其工作原理2.7.2緣柵雙極型電晶體的特性與主要參數2.7、絕緣柵雙極型電晶體2.7.1絕緣柵雙極型電晶體

及其工作原理1.IGBT的結構IGBT的結構如圖2.7.1(a)所示。簡化等效電路如圖2.7.1(b)所示。電氣符號如圖1.7.1（c）所示它是在VDMOS管結構的基礎上再增加一個P+層，形成了一個大面積的P+N結J1，和其他結J2、J3一起構成了一個相當於由VDMOS驅動的厚基區PNP型GTR;IGBT有三個電極:集電極Ｃ、發射極Ｅ和柵極Ｇ;圖2.7.1IGBT的結構、簡化等效電路與電氣符號IGBT也屬場控器件，其驅動原理與電力MOSFET基本相同，是一種由柵極電壓UGE控制集電極電流的柵控自關斷器件。導通：UGE大於開啟電壓UGE(th)時，MOSFET內形成溝道，為電晶體提供基極電流，IGBT導通。導通壓降：電導調製效應使電阻RN減小，使通態壓降小。關斷：柵射極間施加反壓或不加信號時，MOSFET內的溝道消失，電晶體的基極電流被切斷，IGBT關斷。2.7.1絕緣柵雙極型電晶體

及其工作原理圖2.7.2IGBT伏安特性2.IGBT的工作原理2.7.1絕緣柵雙極型電晶體及其工作原理2.7.2緣柵雙極型電晶體的特性與主要參數2.7、絕緣柵雙極型電晶體2.7.2緣柵雙極型電晶體的特性

與主要參數（1）IGBT的伏安特性（如圖a)反映在一定的柵極一發射極電壓UGE下器件的輸出端電壓UCE與電流Ic的關係。IGBT的伏安特性分為:截止區、有源放大區、飽和區和擊穿區。圖2.7.2IGBT的伏安特性和轉移特性1、IGBT的伏安特性和轉移特性UGEUGE(TH)(開啟電壓,一般為3～6V)；其輸出電流Ic與驅動電壓UGE基本呈線性關係；圖2.7.2IGBT的伏安特性和轉移特性2.7.2緣柵雙極型電晶體的特性

與主要參數1、IGBT的伏安特性和轉移特性（2）IGBT的轉移特性曲線（如圖b）IGBT關斷：IGBT開通：UGEUGE(TH)；2、IGBT的開關特性（1）IGBT的開通過程：從正向阻斷狀態轉換到正嚮導通的過程。開通延遲時間td(on)：IC從10%UCEM到10%ICM所需時間。電流上升時間tr：IC從10%ICM上升至90%ICM所需時間。開通時間ton：ton=td(on)+tr2.7.2緣柵雙極型電晶體的特性

與主要參數圖2.7.3IGBT的開關特性2、IGBT的開關特性（2）IGBT的關斷過程關斷延遲時間td(off)：從UGE後沿下降到其幅值90%的時刻起，到ic下降至90%ICM電流下降時間：ic從90%ICM下降至10%ICM。關斷時間toff：關斷延遲時間與電流下降之和。電流下降時間又可分為tfi1和tfi2