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曝光掩膜的制造方法--第1页
（19）中华人民共和国国家知识产权局
（12）发明专利申请
（10）申请公布号
CN105242491A
（43）申请公布日2016.01.13
（21）申请号CN201510390436.0
（22）申请日2015.07.06
（71）申请人株式会社迪思科
地址日本东京都
（72）发明人松崎荣
（74）专利代理机构北京三友知识产权代理有限公司
代理人李辉
（51）Int.CI
G03F1/68;
权利要求说明书说明书幅图
（54）发明名称
曝光掩膜的制造方法
（57）摘要
提供曝光掩模的制造方法，该曝光掩模的
制造方法与现有的方法相比，能够以简单的工序
廉价地制造曝光掩模。该曝光掩模的制造方法是
晶片加工用的曝光掩模的制造方法，该曝光掩模
的制造方法具备如下工序：准备工序，准备遮光
板(25)，其在透光并具有要加工的晶片(11)以上
的大小的板状部件(21)的正面上覆盖有遮挡光的
遮光膜(23)；槽形成工序，在与晶片的间隔道
曝光掩膜的制造方法--第1页
曝光掩膜的制造方法--第2页
(17)相对应的遮光板的正面侧的区域形成去除遮
光膜并且深度未达到遮光板的背面的槽(27)；以
及树脂埋设工序，在槽中埋设透明的树脂(31)而
填埋在槽形成工序中形成于槽的底部(27a)的凹
凸。
法律状态
法律状态公告日法律状态信息法律状态
2016-01-13公开公开
2016-01-13公开公开
2016-01-13公开公开
2017-07-14实质审查的生效实质审查的生效
2017-07-14实质审查的生效实质审查的生效
发明专利申请公布后的视为撤发明专利申请公布后的视为撤
2020-08-11
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曝光掩膜的制造方法--第2页
曝光掩膜的制造方法--第3页
权利要求说明书
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曝光掩膜的制造方法--第3页
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说明书
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