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GB∕T14620-2024：薄膜集成电路用氧化铝陶瓷基片欢迎参加我们关于GB∕T14620-2024标准的专业讲解。本标准规范了薄膜集成电路用氧化铝陶瓷基片的关键技术参数和质量要求。我们将详细解析标准内容，助您深入理解实施要点和产业应用。作者：
氧化铝陶瓷基片简介卓越特性氧化铝陶瓷基片具有超高强度和绝缘性。其耐高温性能可达1600℃以上。这些特性使其成为薄膜集成电路的理想基础材料。市场规模全球氧化铝陶瓷基片市场规模已达45亿美元。年增长率保持在8.5%左右。中国市场增速更是高达12%，前景广阔。
标准制定的背景与意义质量提升统一技术规范，提高产品质量。确保陶瓷基片满足高端集成电路要求。技术创新引导行业技术发展方向。推动材料工艺升级与研发突破。市场规范规范市场竞争秩序。保障供应链安全与消费者权益。
GB∕T14620发展历程11994年首版标准发布，确立基础参数。缺乏高频应用要求。22006年第一次修订，增加电气性能指标。表面质量要求仍需提高。32017年第二次修订，完善测试方法。与国际标准仍有差距。42024年最新版本，全面对标IEC60672。增加新应用场景技术要求。
标准的适用范围基本参数适用于厚度0.25mm-1.5mm的氧化铝陶瓷基片。纯度等级覆盖96%、99%和99.5%三种主要纯度等级。应用领域用于微波、毫米波、光电子集成电路等领域。不适用情况不适用于功率器件和特殊形状基片。
术语和定义晶粒尺寸组成陶瓷的单个晶粒的平均直径。影响材料强度和电气性能。标准要求：1-5微米。表面粗糙度表面微观几何形状的不规则程度。影响金属化层附着力。标准要求：Ra≤0.8μm。翘曲度基片偏离理想平面的最大距离。影响后续工艺精度。标准要求：≤0.5%。
技术要求：化学成分纯度等级Al?O?含量SiO?含量MgO含量CaO含量A级≥99.5%≤0.1%≤0.1%≤0.05%B级≥99.0%≤0.3%≤0.2%≤0.1%C级≥96.0%≤1.5%≤0.8%≤0.8%
技术要求：物理性能3.8g/cm3密度A级氧化铝标准密度要求，确保结构致密性350MPa弯曲强度保证基片在处理过程中不易断裂25W/m·K导热系数确保高功率应用中的热量有效散发0.2%吸水率低吸水率保障电气性能稳定性
技术要求：电气性能A级(99.5%)C级(96%)
技术要求：表面质量划痕缺陷标准要求：表面划痕深度≤3μm，每平方厘米不超过2条。麻点缺陷标准要求：直径≤10μm的麻点每平方厘米不超过5个。表面粗糙度标准要求：Ra≤0.4μm（研磨面），Ra≤0.8μm（原烧面）。
技术要求：尺寸与形位公差尺寸精度长宽公差：±0.2mm（≤50mm）；±0.5%（50mm）厚度要求厚度公差：±0.05mm（≤0.5mm）；±10%（0.5mm）平面度最大翘曲度不超过基片对角线长度的0.5%平行度两表面平行度偏差不超过0.03mm/100mm
技术要求：其他特殊要求抗辐射性航天应用中，抗100kGy累积辐射剂量极端温度稳定性-60℃至+300℃循环无性能退化化学稳定性对常见化学试剂腐蚀率≤0.01mg/cm2·d生物相容性医疗应用中符合ISO10993生物相容性要求
测试方法：化学成分分析样品制备粉碎成200目以下粉末，标准取样1克XRF分析X射线荧光光谱法测定主要元素含量ICP-OES精确分析电感耦合等离子体法检测微量元素
测试方法：物理性能测试密度测试阿基米德排水法，测量精度：±0.01g/cm3。强度测试三点弯曲法，标准试样尺寸：3mm×4mm×36mm。导热系数测试激光闪射法，温度范围：25℃-800℃。吸水率测试煮沸2小时后，重量增加比例计算。
测试方法：电气性能测试绝缘电阻测试高阻计测试，测试电压500V，持续1分钟。保持相对湿度50%±5%。介电性能测试LCR电桥测量，频率1MHz和10GHz两个点。恒温25℃±2℃。击穿电压测试电压缓慢升高至击穿，速率约0.5kV/s。样品厚度需准确测量。
测试方法：表面质量检测表面粗糙度测量接触式轮廓仪：测量Ra、Rz参数原子力显微镜：精确测量纳米级粗糙度测量长度：5mm，取样5点平均值缺陷检测方法光学显微镜：放大50-200倍检测表面缺陷扫描电镜：放大1000倍以上检测微观结构缺陷统计：每个样品检测5个1cm2区域
测试方法：尺寸与形位公差测量尺寸测量采用精密卡尺（精度0.01mm）。形位公差需使用坐标测量机或干涉仪。室温23℃±2℃，测量前样品需恒温2小时。
检验规则：抽样方案批量大小样本数量接收判定数拒收判定数≤5050151-150801151-5001312501-1200201212003223
检验规则：检验项目1型式检验全部技术指标检验。产品设计变更时进行。每年至少一次。2出厂检验必检项目：外观、尺
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