电工材料及应用课件.pptVIP

電工材料及應用超導體:大於106(?cm)-1 導體:106~104(?cm)-1半導體:104~10-10(?cm)-1絕緣體:小於10-10(?cm)-1什麼是半導體？從導電特性和機制來分：不同電阻特性不同輸運機制1.半導體的結構原子結合形式：共價鍵形成的晶體結構：構成一個正四面體，具有金剛石晶體結構半導體的結合和晶體結構金剛石結構半導體有元素半導體，如：Si、Ge化合物半導體，如：GaAs、InP、ZnS2.半導體中的載流子：能夠導電的自由粒子本征半導體：n=p=ni電子：Electron，帶負電的導電載流子，是價電子脫離原子束縛後形成的自由電子，對應於導帶中佔據的電子空穴：Hole，帶正電的導電載流子，是價電子脫離原子束縛後形成的電子空位，對應於價帶中的電子空位3.半導體的能帶(價帶、導帶和帶隙)量子態和能級固體的能帶結構原子能級能帶共價鍵固體中價電子的量子態和能級共價鍵固體：成鍵態、反鍵態原子能級反成鍵態成鍵態價帶：0K條件下被電子填充的能量最高的能帶導帶：0K條件下未被電子填充的能量最低的能帶禁帶：導帶底與價帶頂之間能帶帶隙：導帶底與價帶頂之間的能量差半導體的能帶結構導帶價帶Eg金屬、絕緣體、半導體的能帶特徵EgEg金屬絕緣體半導體價帶導帶半導體中載流子的行為可以等效為自由粒子，但與真空中的自由粒子不同，考慮了晶格作用後的等效粒子有效品質可正、可負，取決於與晶格的作用電子和空穴的有效品質m*4.半導體的摻雜BAs受主摻雜施主摻雜施主和受主濃度：ND、NA施主：Donor，摻入半導體的雜質原子向半導體中提供導電的電子，並成為帶正電的離子。如Si中摻的P和As受主：Acceptor，摻入半導體的雜質原子向半導體中提供導電的空穴，並成為帶負電的離子。如Si中摻的B施主能級受主能級雜質能級：雜質可以使電子在其周圍運動形成量子態本征載流子濃度：n=p=ninp=ni2 ni與禁帶寬度和溫度有關5.本征載流子本征半導體：沒有摻雜的半導體本征載流子：本征半導體中的載流子載流子濃度電子濃度n,空穴濃度p6.非本征半導體的載流子在非本征情形:熱平衡時:N型半導體：n大於pP型半導體：p大於n多子：多數載流子 n型半導體：電子 p型半導體：空穴少子：少數載流子 n型半導體：空穴 p型半導體：電子7.電中性條件:正負電荷之和為0p+Nd–n–Na=0施主和受主可以相互補償p=n+Na–Ndn=p+Nd–Nan型半導體：電子n?Nd 空穴p?ni2/Ndp型半導體：空穴p?Na 電子n?ni2/Na8.過剩載流子由於受外界因素如光、電的作用，半導體中載流子的分佈偏離了平衡態分佈，稱這些偏離平衡分佈的載流子為過剩載流子公式不成立載流子的產生和複合：電子和空穴增加和消失的過程電子空穴對：電子和空穴成對產生或複合9.載流子的輸運漂移電流遷移率?電阻率?單位電場作用下載流子獲得平均速度反映了載流子在電場作用下輸運能力載流子的漂移運動：載流子在電場作用下的運動引入遷移率的概念影響遷移率的因素影響遷移率的因素：有效品質平均弛豫時間（散射〕體現在：溫度和摻雜濃度半導體中載流子的散射機制：晶格散射（熱運動引起）電離雜質散射擴散電流電子擴散電流：空穴擴散電流：愛因斯坦關係:載流子的擴散運動：載流子在化學勢作用下運動過剩載流子的擴散和複合過剩載流子的複合機制：直接複合、間接複合、表面複合、俄歇複合過剩載流子的擴散過程擴散長度Ln和Lp:L=(D?)1/2p-n結平衡能帶結構重點半導體、N型半導體、P型半導體、本征半導體、非本征半導體載流子、電子、空穴、平衡載流子、非平衡載流子、過剩載流子能帶、導帶、價帶、禁帶摻雜、施主、受主