电力电子器件课件.pptVIP

1.4.3電力場效應電晶體小功率MOS管是橫向導電器件。電力MOSFET大都採用垂直導電結構，又稱為VMOSFET（VerticalMOSFET）。按垂直導電結構的差異，分為利用V型槽實現垂直導電的VVMOSFET和具有垂直導電雙擴散MOS結構的VDMOSFET（VerticalDouble-diffusedMOSFET）。這裏主要以VDMOS器件為例進行討論。電力MOSFET的結構1-*1.4.3電力場效應電晶體截止：漏源極間加正電源，柵源極間電壓為零。P基區與N漂移區之間形成的PN結J1反偏，漏源極之間無電流流過。導電：在柵源極間加正電壓UGS當UGS大於UT時，P型半導體反型成N型而成為反型層，該反型層形成N溝道而使PN結J1消失，漏極和源極導電。圖1-19電力MOSFET的結構和電氣圖形符號電力MOSFET的工作原理1-*1.4.3電力場效應電晶體?(1)靜態特性漏極電流ID和柵源間電壓UGS的關係稱為MOSFET的轉移特性。ID較大時，ID與UGS的關係近似線性，曲線的斜率定義為跨導Gfs。圖1-20電力MOSFET的轉移特性和輸出特性a)轉移特性b)輸出特性2）電力MOSFET的基本特性1-*1.4.3電力場效應電晶體截止區（對應於GTR的截止區）飽和區（對應於GTR的放大區）非飽和區（對應GTR的飽和區）工作在開關狀態，即在截止區和非飽和區之間來回轉換。漏源極之間有寄生二極體，漏源極間加反向電壓時器件導通。通態電阻具有正溫度係數，對器件並聯時的均流有利。MOSFET的漏極伏安特性：圖1-20電力MOSFET的轉移特性和輸出特性a)轉移特性b)輸出特性1-*1.4.3電力場效應電晶體開通過程開通延遲時間td(on)上升時間tr開通時間ton——開通延遲時間與上升時間之和關斷過程關斷延遲時間td(off)下降時間tf關斷時間toff——關斷延遲時間和下降時間之和圖1-21電力MOSFET的開關過程a)測試電路b)開關過程波形up—脈衝信號源，Rs—信號源內阻，RG—柵極電阻，RL—負載電阻，RF—檢測漏極電流(2)?動態特性1-*1.4.3電力場效應電晶體MOSFET的開關速度和Cin充放電有很大關系。可降低驅動電路內阻Rs減小時間常數，加快開關速度。不存在少子儲存效應，關斷過程非常迅速。開關時間在10~100ns之間，工作頻率可達100kHz以上，是主要電力電子器件中最高的。場控器件，靜態時幾乎不需輸入電流。但在開關過程中需對輸入電容充放電，仍需一定的驅動功率。開關頻率越高，所需要的驅動功率越大。MOSFET的開關速度1-*1.4.3電力場效應電晶體3)電力MOSFET的主要參數——電力MOSFET電壓定額(1)??漏極電壓UDS(2)?漏極直流電流ID和漏極脈衝電流幅值IDM——電力MOSFET電流定額(3)柵源電壓UGS——?UGS?20V將導致絕緣層擊穿。除跨導Gfs、開啟電壓UT以及td(on)、tr、td(off)和tf之外還有：(4)?極間電容——極間電容CGS、CGD和CDS1-*1.4.4絕緣柵雙極電晶體兩類器件取長補短結合而成的複合器件—Bi-MOS器件絕緣柵雙極電晶體（Insulated-gateBipolarTransistor——IGBT或IGT）GTR和MOSFET複合，結合二者的優點。1986年投入市場，是中小功率電力電子設備的主導器件。繼續提高電壓和電流容量，以期再取代GTO的地位。GTR和GTO的特點——雙極型，電流驅動，有電導調製效應，通流能力很強，開關速度較低，所需驅動功率大，驅動電路複雜。MOSFET的優點——單極型，電壓驅動，開關速度快，輸入阻抗高，熱穩定性好，所需驅動功率小而且驅動電路簡單。1-*1.4.4絕緣柵雙極電晶體1)IGBT的結構和工作原理三端器件：柵極G、集電極C和發射極E圖1-22IGBT的結構、簡化等效電路和電氣圖形符號a)內部結構斷面示意圖b)簡化等效電路c)電氣圖形符號1-*1.4.4絕緣柵雙極電晶體圖1-22a—N溝道VDMOSFET與GTR組合——N溝道IGBT。IGBT比VDMOSFET多一層P+注入區，具有很強的通流能力。簡化等效電路表明，IGBT是GTR與MOSFET組成的達林頓結構