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电力电子技术模拟试卷四
（考试时间150分钟）
一、填空题（每小题1分，共14分）
1．1．三相半波可控整流电路中的三个晶闸管的触发脉冲相位按相序依次互差
__________。
2．2．功率集成电路PIC分为二大类，一类是高压集成电路，另一类是
________________。
3．3．电阻性负载三相半波可控整流电路中，晶闸管所承受的最大正向电压UFm等
于________________，设U2为相电压有效值。
4．4．同一晶闸管，维持电流I与擎住电流I的数值大小上有I_____________I。
HLLH
5．5．对于三相半波可控整流电路，换相重叠角的影响，将使输出电压平均值
________________。
6．6．晶闸管串联时，给每只管子并联相同阻值的电阻R是__________________措
施。
7．7．三相全控桥式变流电路交流侧非线性压敏电阻过电压保护电路的连接方式有
_______________二种方式。
8．8．晶闸管断态不重复电压UDSN与转折电压UBO数值大小上应为，
UDSM____________UBO。
9．9．抑制过电压的方法之一是用______________吸收可能产生过电压的能量，并用
电阻将其消耗。
10．为了利于功率晶体管的关断，驱动电流后沿应是____________________。
11．改变SPWM逆变器中的调制比，可以改变_______________的幅值。
12．180°导电型电压源式三相桥式逆变电路，其换相是在___________的上、下二个开关元
件之间进行。
13．恒流驱动电路中抗饱和电路的主要作用是_______________。
14．功率晶体管缓冲保护电路中的二极管要求采用__________________型二极管，以便与功
率晶体管的开关时间相配合。
二、单项选择题(每小题1分，共16分)在每小题烈出的四个选项中只有一个选项是符合题
目要求的，请将正确选项前的字母填在题后的括号内。
15．功率晶体管GTR从高电压小电流向低电压大电流跃变的现象称为（）
①一次击穿①二次击穿①临界饱和①反向截止
16．逆导晶闸管是将大功率二极管与何种器件集成在一个管芯上而成()
①大功率三极管①逆阻型晶闸管①双向晶闸管①可关断晶闸管
17．在晶闸管应用电路中，为了防止误触发应将幅值限制在不触发区内的信号是（）
①干扰信号①触发电压信号①触发电流信号①干扰信号和触发信号
18．当晶闸管随反向阳极电压时，不论门极加何种极性触发电压，管子都将工作在（）
①导通状态①关断状态①饱和状态①不定
19．单相半波可控整流电阻性负载电路中，控制角α的最大移相范围是（）
①90°①120°①150°①180°
20．单相全控桥大电感负载电路中，晶闸管可能随的电大正向电压为（）
2
U
①22①2U2①22U2①6U2
21．单相全控桥电阻性负载电路中，晶闸管可能随的电大正向电压为（）
2
U
①2U2①22U2①22①6U2
22．单相全控桥式整流大电感负载电路中，控制角α的移相范围是（）
①0°~90°①0°~180°①90°~1
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