T CASAS 037—2024 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（SiC MOSFET）栅极电荷测试方法.pdfVIP

ICS31.080

CCSL40/49

团体标准

T/CASAS037—2024

碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管

（SiCMOSFET）栅极电荷测试方法

Gatechargetestmethodforsiliconcarbidemetal‑oxidesemiconductorfield

effecttransistors（SiCMOSFET）

2024‑11‑19发布2024‑11‑19实施

第三代半导体产业技术创新战略联盟发布

中国标准出版社出版

T/CASAS037—2024

碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管

（SiCMOSFET）栅极电荷测试方法

1范围

本文件描述了碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（SiCMOSFET）的栅极电荷测试方法，包括

测试原理、测试电路、测试条件以及数据处理方法。

本文件仅适用于增强型N沟道垂直SiCMOSFET器件特性表征及可靠性测试等工作场景，可用于

以下测试目标器件：

a）增强型N沟道垂直SiCMOSFET分立器件晶圆级及封装级产品；

b）含增强型N沟道垂直SiCMOSFET器件的功率模块。

2规范性引用文件

下列文件中的内容通过文中的规范性引用而构成本文件必不可少的条款。其中，注日期的引用文件，仅

该日期对应的版本适用于本文件；不注日期的引用文件，其最新版本（包括所有的修改单）适用于本文件。

T/CASAS002—2021宽禁带半导体术语

T/CASAS006—2020碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管通用技术规范

3术语和定义

T/CASAS002—2021、T/CASAS006—2020界定的以及下列术语和定义适用于本文件。

3.1

漏致势垒降低效应drain‑inducedbarrierlowering；DIBL

对于沟道长度较小的场效应晶体管（FET）器件，漏源电压VDS增大导致源极端势垒高度降低，并引

起阈值电压降低的效应。

3.2

米勒平台Millerplateau

MOSFET器件在开启或关断阶段由于栅漏电容充/放电引起的栅极电压平台区间。

3.3

米勒斜坡Millerramp

在短沟道MOSFET器件栅漏电容充/放电阶段，由于DIBL效应引起栅极电压不稳定，导致原本的

米勒平台阶段发生倾斜。

3.4

标称关断栅极电压nominalgatevoltageinOFF‑state

VOFF

器件关断状态标称栅极电压。

3.5

标称导通栅极电压nominalgatevoltageinON‑state

VON

1

T/CASAS037—2024

器件导通状态标称栅极电压。

3.6

阈值栅源电荷threshold‑gatecharge

QGS,th(ON)/QGS,th(OFF)

器件开启阶段栅极电压从标称栅极关断电压上升到阈值电压所需的电荷量/器件关断阶段栅极电压

从阈值电压下降到标称栅极关断电压所需的电荷量。

3.7

栅源电荷gate‑sourcecharge

QGS(ON)/QGS(OFF)

器件开启阶段栅极电压从标称栅极关断电压上升到米勒平台开始处电压所需的电荷量/器件关断阶

段栅极电压从米勒平台末端电压下降到标称栅极关断电压所需的电荷量。

3.8

栅漏电荷gate‑draincharge

QGD(ON)/QGD(OFF)

器件开启阶段漏源电压变化