T CASAS 042—2024 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（SiC MOSFET）高温栅偏试验方法.pdfVIP

ICS31.080

CCSL40/49

团体标准

T/CASAS042—2024

碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管

（SiCMOSFET）高温栅偏试验方法

Hightemperaturegatebiastestmethodforsiliconcarbidemetal‑oxide

semiconductorfiledeffecttransistors（SiCMOSFET）

2024‑11‑19发布2024‑11‑19实施

第三代半导体产业技术创新战略联盟发布

中国标准出版社出版

T/CASAS042—2024

碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管

（SiCMOSFET）高温栅偏试验方法

1范围

本文件描述了碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（SiCMOSFET）高温栅偏试验方法，包括试

验装置、失效判定。

本文件适用于SiCMOSFET功率器件、功率模块的可靠性评估。

2规范性引用文件

下列文件中的内容通过文中的规范性引用而构成本文件必不可少的条款。其中，注日期的引用文件，仅

该日期对应的版本适用于本文件；不注日期的引用文件，其最新版本（包括所有的修改单）适用于本文件。

GB/T4586—1994半导体器件分立器件第8部分：场效应晶体管

T/CASAS002—2021宽禁带半导体术语

T/CASAS006—2020碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管通用技术规范

3术语和定义

GB/T4586—1994、T/CASAS002—2021、T/CASAS006—2020界定的以及下列术语和定义适用

于本文件。

3.1

栅-源电压gate‑sourcevoltage

VGS

器件的栅极和源极之间的电压。

3.2

漏-源电压drain‑sourcevoltage

VDS

器件的漏极和源极之间的电压。

3.3

栅极漏泄电流/栅极漏电流gateleakagecurrent

IGSS

漏极-源极短路时，栅-源电压达到最大的条件下对应栅极电流的最大值。

3.4

漏极漏泄电流/漏极漏电流drainleakagecurrent

IDSS

在漏-源电压达到规定的高值、栅-源电压达到规定条件下，对应漏极电流的最大值。

3.5

栅-源阈值电压gate‑sourcethresholdvoltage

VGS(th)

漏极电流值达到规定低值时的栅-源电压。

1

T/CASAS042—2024

3.6

漏-源极导通电阻drain‑sourceon‑stateresistance

RDS(on)

在规定的栅-源电压、漏极电流以及芯片结温下的漏极-源极之间的阻值。

3.7

漏-源反向电压rain‑sourcereversevoltage

体二极管正向压降

VV/

FSD

在规定的条件下，器件的漏极和源极之间的反向电压。

3.8

击穿电压breakdownvoltage；draintosource

VBR

在规定的栅-源电压，漏极电流达到规定低值时的漏极-源极电压。

3.9

环境温度ambienttemperature

T

a

测试环境规定点测得的温度。

3.10

管壳温度casetemperatur