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MEMS作业

1.叙述湿法腐蚀技术的主要工艺流程。

湿法刻蚀：利用合适的化学试剂先将未被光刻胶覆盖的晶体部分氧化分解，

然后通过化学反应使一种或多种氧化物或络合物溶解来达到去除目的，包括

化学腐蚀和电化学腐蚀。

2.叙述干法腐蚀技术的主要工艺流程。

干法刻蚀：利用辉光的方法产生带电离子以及具有高度化学活性的中性原子

与自由基，用这些粒子和晶片进行反应达到光刻图形转移到晶片上的技术。

包括离子溅射刻蚀，等离子反应刻蚀等。

3.叙述体硅和表面硅加工技术的机理与特点，各适用于什么场合？

体硅加工工艺是指对硅衬底片进行加工，获得由衬底材料构成的有用部件的

技术。体硅加工方法：湿法刻蚀、干法刻蚀、干湿混合刻蚀、LIGA技术

及DEM技术。湿法刻蚀：将被腐蚀材料先氧化，然后由化学反应使其生成

一种或多种氧化物再溶解。干法刻蚀：物理作用为主的离子溅射和化学反

应为主的反应离子腐蚀兼有的反应溅射。过程：（1）腐蚀性气体粒子的产

生；（2）粒子向衬底的传输；（3）衬底表面的腐蚀；（4）腐蚀反应物的

排除。干湿混合刻蚀：制造波导等新的微结构装置。LIGA技术：X光深

度同步辐射光刻——电铸制模——注塑DEM技术：由深层刻蚀工艺、微电

铸工艺、微复制工艺三部分组成。可对金属、塑料、陶瓷等非硅材料进行高

深宽比三维加工。体硅加工工艺：定义键合区——扩散掺杂——形成金属

电极——硅/玻璃阳极键合——硅片减薄——ICP刻蚀面硅加工方法：

薄膜制备的外延生长热氧化、化学沉积、物理沉积、光刻、溅射、电镀等。

该技术能够用二氧化硅、多晶硅、氮化硅、磷硅玻璃等加工三维较小尺寸的

微器件。面硅加工工艺：下层电极——牺牲层——刻蚀支撑点——沉积多

晶硅——刻蚀多晶硅——释放结构表面硅加工技术的关键是硅片表面结构

层和牺牲层的制备和腐蚀，以硅薄膜作为机械结构。这种工艺可以利用与集

成电路工艺兼容或相似的平面加工手段，但它的纵向加工尺寸往往受到限制

（2-5um）。体硅未加工工艺是用湿法或干法腐蚀对硅片进行纵向加工的三

维加工技术，但他与集成电路平面工艺兼容性不太好。

4.何为加法工艺？何为减法工艺？如何实现？

加法工艺：薄膜生成技术

在微机电器件的制作中，常采用蒸镀和淀积等方法，在硅衬底的表面上制

作

各种薄膜，并和硅衬底构成一个复合的整体。这些薄膜有多晶硅膜、氮化硅

膜、二氧化硅膜、合金膜及金刚石膜等。

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可作为敏感膜；作为介质膜起绝缘作用；作为衬垫层起尺寸控制作用；也

可

以用作起耐腐蚀、耐磨损的作用。

减法工艺：牺牲层技术

在体型结构的表面上，为了获得有空腔和可活动的微结构，常采用“牺牲

层”

技术。即在形成空腔结构过程中，将2层薄膜中的下层薄膜设法腐蚀掉，

便可得

到上层薄膜，并形成一个空腔。被腐蚀掉的下层薄膜在形成空腔过程中，

只起分离层作用，故称为牺牲层。

5.LIGA工艺和准LIGA工艺各有什么特点？其主要工艺过程有哪些？

LIGA技术特点

（1）可制作高度达数百至1000μm，高宽比大于200，侧壁平行线偏离

在亚微米范围内的三维立体微结构；

（2）对微结构的横向形状没有限制，横向尺寸可小到0.5μm，加工精

度可达0.1μm；

（3）用材广泛，金属、合金、陶瓷、聚合物、玻璃都可作为LIGA加工

的对象；（4）与微电铸、注塑巧妙结合可实现大批量复制生产，成本低。

LIGA工艺过程。

UV-LIGA技术特点

UV-LIGA技术采用基于SU8光刻胶的厚胶紫外光刻工艺取代同步辐射X

光光刻工艺，大大降低了LIGA技术的加工成本，缩短了加工周期，并且可

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以制备台阶微结构，适用于加工深度小于500μm，线宽大于5μm，深

宽比小于20的微结构。

UV-LIGA工艺原理。

6.DEM工艺特点？该工艺的关键