《屏蔽栅金属氧化物半导体场效应晶体管通用技术要求》编制说明.docxVIP

《屏蔽栅金属氧化物半导体场效应晶体管通用技术要求》

（征求意见稿）编制说明

一、工作简况

1、任务来源

根据2020年全国标准化工作要点，大力推动实施标准化战略，持续深化标准化工作改革，加强标准体系建设，提升引领高质量发展的能力。依据《中华人民标准化法》，以及

《团体标准管理规定（试行）》相关规定，全国城市工业品贸易中心联合会决定立项并联合相关单位共同制定《屏蔽栅金属氧化物半导体场效应晶体管通用技术要求》团体标准。于2025年03月14日，全国城市工业品贸易中心联合会发布《屏蔽栅金属氧化物半导体场效应晶体管通用技术要求》团体标准立项通知，正式立项。

2、起草工作组信息

本文件由全国城市工业品贸易中心联合会提出并归口。本文件起草单位：上海贝岭股份有限公司。

本文件主要起草人：XXX、XXX、XXX。3、标准编制过程（起草阶段）

根据任务要求，于2025年03月组织开展起草工作，成立《屏蔽栅金属氧化物半导体场效应晶体管通用技术要求》团体标准起草工作组。起草组在资料整理和企业调研的基础上，确定安全规范指标体系，并依据企业现状确定指标参数，进行标准主要技术内容的编写。标准起草工作组成员认真学习了GB/T1.1等文件，结合标准制定工作程序的各个环节，进行了探讨和研究，并在现有标准化文件和科研成果等相关资料进行收集整理的基础上，