新型半导体光子解键合设备.docx

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新型半导体光子解键合设备

1范围

本文件规定了新型半导体光子解键合设备的术语和定义、技术要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输和贮存。

本文件适用于新型半导体光子解键合设备的生产和检验。

2规范性引用文件

下列文件中的内容通过文中的规范性引用而构成本文件必不可少的条款。其中，注日期的引用文件，仅该日期对应的版本适用于本文件；不注日期的引用文件，其最新版本（包括所有的修改单）适用于本文件。

GB/T2423.1电工电子产品环境试验第2部分：试验方法试验A：低温GB/T2423.2电工电子产品环境试验第2部分：试验方法试验B：高温GB/T2423.3环境试验第2部分：试验方法试验Cab：恒定湿热试验

GB/T5226.1-2019机械电气安全机械电气设备第1部分:通用技术条件GB/T18313声学信息技术设备和通信设备空气噪声的测量

3术语和定义

下列术语和定义适用于本文件。3.1

半导体解键合semiconductordebonding

半导体解键合是指将已经键合在一起的半导体芯片或器件进行解键分离的过程。

4技术要求

4.1工作条件

4.1.1环境温度:范围20℃~26℃,梯度小于2℃/hr。

4.1.2环境湿度:35％RH～60％RH。

4.1.3洁净度:优于class1000。

4.1.4氨气:压力大于6bar，颗粒度0.1～5um，流量大于50NL/min。

4.1.5压缩空气:压力大于6bar，颗粒度0.1um～5um，露点温度-70℃~-40℃,流量大于50NL/min。

4.1.6冷却水:压力3.5bar～5.5bar，温度10℃~16℃,流量大于5L/min。

4.1.7供电要求:三相380V，不低于40A。

4.2外观及结构

4.2.1每台设备的外观应整洁，表面不应有凹凸痕、划伤、裂缝、变形的缺陷；表面涂镀层不应起泡、龟裂、脱落或锈蚀等缺陷；各门之间的间隙均匀，间隙≤3.5mm，尺寸符合双方协议要求。

4.2.2有机玻璃部分界截面应光滑、透明，材质不允许发黄，机械正面不允许划伤，划痕，侧面板划痕长度20mm≤L≤50mm允许一条,L≤20mm允许3条以内。

4.2.3设备开关、按键、旋钮的操作应灵活可靠，零部件应紧固无松动。

4.2.4连接导线、面板上的开关、按键和灯的颜色要符合GB/T5226.1-2019中第10章和第16章的规定。

4.2.5电力线与信号线尽可能分开远离，并对信号线采用屏蔽、双绞等抗干扰措施。

4.2.6电子元器件应进行老化筛选处理。

4.3性能要求

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应具有以下功能：

——应能根据设置在室温下进行解键合；

——具有自动上料、下料功能；——具有真空漏品检测功能；

——具有自动焊接功能，可根据设置进行焊接；——具有焊头压力调节功能；

——具有顶针升降高度设置功能；

——具有图像视觉处理功能，可对晶圆位、装片位进行识别定位处理；——具有装片检测功能，可检测装片前后位置精度测，漏拾情况；

——具有通讯能力；

——具有超薄芯片取放功能；——支持多机联线生产功能；

——具有工作状态实时显示功能；——具有工作异常报警功能；

——解键合压力：零压或负压解键合，压力可调节，最小≤10g；

——解键合变温速率：升温速率25℃/min，降温速率15℃/min。

4.4电气安全要求

4.4.1接地电阻和保护接地电路连续性

在保护接地端子与连接至保护联结回路的每个导电部分(手柄、监视器、门、框架等)之间的电阻应不大手1Ω。

4.4.2绝缘电阻

绝缘电阻应符合GB/T5226,1-2019中18.3的要求。

4.4.3耐压试验

耐压试验应符合GB/T5226.1-2019中18.4的要求、

4.4.4电源适应性

设备在满载和空载条件下，以下情况应能正常工作：

——电源电压90％～110％的范围内频率偏差±2％的情况下；

——电压冲击峰值高达相间电源电压额定有效值200％，时间不大于1.5ms；

——电压降≤20％额定电压,降压时间≤1000ms；电压降≤30％,降压时间≤500ms；电压降≤50％，降压时间≤200ms。

4.4.5产品可靠性

对设备进行正常操作(空载状态下)连续正常运行12h。运行中允许出现故障但经排除后重新启动设备，应正常运行，运行时间重新计算。

4.5噪声

设备