安森美半导体ESD保护器件DF3A6.8FUT1-D 数据手册.pdf

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PreferredDevice

DualCommonAnodeZenersforESD

Protection

Thesedualmonolithicsiliconzenerdiodesaredesignedfor

applicationsrequiringtransientovervoltageprotectioncapability.They

1

areintendedforuseinvoltageandESDsensitiveequipmentsuchas3

computers,printers,businessmachines,communicationsystems,2

medicalequipmentandotherapplications.Theirdualjunctioncommon

anodedesignprotectstwoseparatelinesusingonlyonepackage.These

devicesareidealforsituationswhereboardspaceisatapremium.

MARKING

Features

DIAGRAM

•Pb−FreePackageisAvailable1

•SC−70PackageAllowsTwoSeparateUnidirectionalConfigurations2

68M

•LowLeakage1.0A@5.0VSC−70/SOT−323

•BreakdownVoltage:6.4−7.2V@5.0mACASE419

STYLE4

•ESDProtectionMeeting:16kVHumanBodyModel

30kVContact=IEC61000−4−268=SpecificDeviceCode

•PeakP

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