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GaNHEMT器件：精准测试与仿真的关键技术与应用研究

一、引言

1.1研究背景与意义

在现代电子领域中，随着5G通信、新能源汽车、航空航天等行业的飞速发展，对电子器件的性能提出了越来越高的要求，如高功率、高频率、高效率以及小尺寸等。传统的硅基半导体器件由于其材料特性的限制，在面对这些需求时逐渐显得力不从心。而氮化镓（GaN）高电子迁移率晶体管（HEMT）器件，作为第三代半导体器件的杰出代表，凭借其宽禁带、高电子迁移率、高饱和电子漂移速度以及高击穿电场强度等优异特性，成为了满足现代电子领域高性能需求的关键技术之一。

GaNHEMT器件在通信领域发挥着重要作用。在5G通信中，基