氟化锂在硅基底上肖特基接触形成的界面电子学机制与特性研究.docx

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2025-04-29 发布于上海
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氟化锂在硅基底上肖特基接触形成的界面电子学机制与特性研究

一、引言

1.1研究背景与意义

在半导体器件的发展历程中，肖特基接触扮演着举足轻重的角色。肖特基接触是指金属与半导体之间的一种特殊接触形式，其特性对于半导体器件的电学性能和稳定性有着决定性的影响。在各类半导体器件，如二极管、场效应晶体管以及光电二极管等中，肖特基接触都被广泛应用。以肖特基二极管为例，它利用了肖特基接触的整流特性，具有极短的反向恢复时间和较低的正向电压降，这使得它在高频电路和开关电源等领域中发挥着关键作用；在场效应晶体管中，肖特基接触作为源极和漏极与半导体沟道的连接方式，其接触电阻和势垒高度直接影响着晶体管的导通性能和