CeO₂基纳米粒子薄膜阻变特性及应用潜力的深度剖析.docx

CeO?基纳米粒子薄膜阻变特性及应用潜力的深度剖析

一、引言

1.1研究背景与意义

在当今信息化时代，电子存储技术作为信息存储与处理的关键支撑，其发展对于推动信息技术的进步具有至关重要的作用。随着电子设备朝着小型化、高性能化方向的飞速发展，对存储器件的性能提出了更为严苛的要求，不仅需要具备高存储密度、快速读写速度，还需拥有良好的稳定性和可靠性。传统的存储技术，如闪存（FlashMemory），在应对不断增长的存储需求时逐渐显露出局限性，难以满足现代电子设备对于存储性能的更高期望。因此，探索新型存储技术已成为电子领域的研究热点和迫切需求。

阻变存储器（RRAM）作为一种极具潜力的新型非易失性