二极管及其基本电路课件.pptVIP

3.3.2二極體的伏安特性二極體的伏安特性曲線可用下式表示矽二極體2CP10的V-I特性鍺二極體2AP15的V-I特性正向特性反向特性反向擊穿特性3.3.3二極體的參數(1)最大整流電流IF：指管子長期運行時，允許通過的最大正向平均電流。(2)反向擊穿電壓VBR和最大反向工作電壓VRM：VBR是指管子反向擊穿時的電壓值；VRM約為反向擊穿電壓的一半。(3)反向電流IR：指管子未擊穿時的反向電流，其值愈小，則管子的單向導電性愈好。(4)正向壓降VF：矽管0.7V,鍺管0.2V。(5)最高工作頻率fM:指二極體正常工作的上限頻率。(6)極間電容C：包括勢壘電容CB和擴散電容CD。半導體二極體圖片半導體二極體圖片半導體二極體圖片end3.4二極體基本電路及其分析方法3.4.1簡單二極體電路的圖解分析方法3.4.2二極體電路的簡化模型分析方法3.4.1簡單二極體電路的圖解分析方法二極體是一種非線性器件，因而其電路一般要採用非線性電路的分析方法，相對來說比較複雜，而圖解分析法則較簡單，但前提條件是已知二極體的V-I特性曲線。例3.4.1電路如圖所示，已知二極體的V-I特性曲線、電源VDD和電阻R，求二極體兩端電壓vD和流過二極體的電流iD。解：由電路的KVL方程，可得即是一條斜率為-1/R的直線，稱為負載線Q的座標值（VD，ID）即為所求。Q點稱為電路的工作點3.4.2二極體電路的簡化模型分析方法1.二極體V-I特性的建模將指數模型分段線性化，得到二極體特性的等效模型。（1）理想模型（a）V-I特性（b）代表符號（c）正向偏置時的電路模型（d）反向偏置時的電路模型3.4.2二極體電路的簡化模型分析方法1.二極體V-I特性的建模（2）恒壓降模型（a）V-I特性（b）電路模型（3）折線模型（a）V-I特性（b）電路模型3.4.2二極體電路的簡化模型分析方法1.二極體V-I特性的建模（4）小信號模型vs=0時,Q點稱為靜態工作點，反映直流時的工作狀態。vs=Vmsin?t時（VmVDD）,將Q點附近小範圍內的V-I特性線性化，得到小信號模型，即以Q點為切點的一條直線。3.4.2二極體電路的簡化模型分析方法1.二極體V-I特性的建模（4）小信號模型過Q點的切線可以等效成一個微變電阻即根據得Q點處的微變電導則常溫下（T=300K）（a）V-I特性（b）電路模型3.4.2二極體電路的簡化模型分析方法1.二極體V-I特性的建模（4）小信號模型特別注意：小信號模型中的微變電阻rd與靜態工作點Q有關。該模型用於二極體處於正向偏置條件下，且vDVT。（a）V-I特性（b）電路模型3.4.2二極體電路的簡化模型分析方法2．模型分析法應用舉例（1）整流電路D為理想二極體（a）電路圖（b）vs和vo的波形2．模型分析法應用舉例（2）靜態工作情況分析理想模型（R=10k?）當VDD=10V時，恒壓模型（矽二極體典型值）折線模型（矽二極體典型值）設當VDD=1V時，（自看）（a）簡單二極體電路（b）習慣畫法2．模型分析法應用舉例（3）限幅電路電路如圖，R=1kΩ，VREF=3V，二極體為矽二極體。分別用理想模型和恒壓降模型求解，當vI=6sin?tV時，繪出相應的輸出電壓vO的波形。2．模型分析法應用舉例（4）開關電路電路如圖所示，求AO的電壓值解：先斷開D，以O為基準電位，即O點為0V。則接D陽極的電位為-6V，接陰極的電位為-12V。陽極電位高於陰極電位，D接入時正嚮導通。導通後，D的壓降等於零，即A點的電位就是D陽極的電位。所以，AO的電壓值為-6V。（5）低電壓穩壓電路（自看）*動畫先播放開頭，然後停住分析可能將要發生的變化，再播放動畫。*3.1.1半導體材料根據物體導電能力(電阻率)的不同來劃分，可分為:導體、絕緣體和半導體。物體的導電性能決定於原子結構。導體：低價元素。絕緣體：高價元素。半導體：四價元素，導電性能介於兩者之間。典型的半導體有矽Si和鍺Ge以及砷化鎵GaAs等。半