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探秘InAs单晶：位错与杂质条纹识别及材料性质的深度剖析

一、引言

1.1InAs单晶概述

InAs单晶，即砷化铟单晶，作为一种重要的III-V族化合物半导体材料，在半导体领域占据着举足轻重的地位。其晶体结构为闪锌矿型，具有较为特殊的原子排列方式，这种结构赋予了InAs单晶许多独特的物理性质。

InAs单晶最显著的特性之一是其窄带隙，室温下的禁带宽度约为0.354eV，这一特性使得电子在InAs单晶中更容易被激发跨越禁带，从而参与导电等物理过程。与其他常见的半导体材料相比，如硅（Si）的禁带宽度约为1.12eV，InAs单晶的窄带隙使其在红外光电器件应用中具有天然优