《电子电路分析与实践》课件——场效应管.pptxVIP

电子电路分析与实践;目录;场效应晶体三极管是由一种载流子导电的、用输入电压控制输出电流的半导体器件

从参与导电的载流子来划分，它有自由电子导电的N沟道器件和空穴导电的P沟道器件。

按照场效应三极管的结构划分，有结型场效应管和绝缘栅型场效应管两大类。

;1.结构;2.工作原理;;②漏源电压VDS对iD的影响;(3)伏安特性曲线;特点:

(1)当VGS为定值时,iD是VDS的线性函数,其阻值受VGS控制。;用途：做无触点的、接通状态的电子开关。;②转移特性曲线;结型场效应管;绝缘栅型场效应管MetalOxideSemiconductor

——MOSFET

分为增强型?N沟道、P沟道

耗尽型?N沟道、P沟道;（1）栅源电压VGS的控制作用;当VGS＞VT时，衬底表层中的自由电子数量大于空穴数量，该薄层转换为N型半导体，称此为反型层。

形成N源区到N漏区的N型沟道。

;当VGS＞VT自由电子将沿着沟道漂移到漏区，形成漏极电流ID；

当ID从D?S流过沟道时，源极端电压最大，为VGS，由此感生的沟道最深；

;;;;;N沟道耗尽型MOS管，它是在栅极下方的SiO2绝缘层中掺入了大量的金属正离子，形成了导电沟道。

因此，使用时无须加开启电压（VGS=0），只要加漏源电压，就会有漏极电流。当VGS＞0时，将使ID进一步增加。VGS＜0时，随着VGS的减小ID逐渐减小，直至ID=0。对应ID=0的VGS值为夹断电压VP。;2.夹断电压VP

夹断电压是耗尽型FET的参数，当VGS=VP时,漏极电流为零。;常用场效应三极管的主要参数;;绝缘栅型场效应管的分类;谢谢观看