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半导体或芯片岗位招聘笔试题与参考答案

选择题

1.以下哪种半导体材料常用于制造集成电路？

A.硅

B.锗

C.砷化镓

D.以上都是

答案：D

2.在CMOS工艺中，PMOS管和NMOS管的阈值电压分别为：

A.正，正

B.正，负

C.负，正

D.负，负

答案：C

3.芯片设计流程中，逻辑综合的主要作用是：

A.将RTL代码转换为门级网表

B.进行布局布线

C.进行功能验证

D.进行物理验证

答案：A

4.半导体制造过程中，光刻工艺的主要作用是：

A.在晶圆上刻蚀出电路图案

B.在晶圆上沉积金属层

C.对晶圆进行掺杂

D.对晶圆进行氧化

答案：A

5.以下哪种存储器类型速度最快？

A.SRAM

B.DRAM

C.Flash

D.EEPROM

答案：A

6.在数字电路中，组合逻辑电路的输出取决于：

A.当前输入

B.过去输入

C.当前和过去输入

D.时钟信号

答案：A

7.芯片验证中，以下哪种验证方法可以提供较高的覆盖率？

A.随机测试

B.定向测试

C.形式验证

D.以上都是

答案：D

8.半导体器件中，PN结的反向偏置状态下：

A.有较大的电流通过

B.只有很小的反向饱和电流

C.电流为零

D.电流随反向电压增大而线性增大

答案：B

9.以下哪种EDA工具主要用于芯片的布局布线？

A.SynopsysDesignCompiler

B.CadenceEncounter

C.MentorGraphicsModelSim

D.SynopsysVCS

答案：B

10.在芯片设计中，低功耗设计的主要方法不包括：

A.时钟门控

B.多电压域设计

C.增加晶体管尺寸

D.电源门控

答案：C

11.半导体的导电性能介于：

A.导体和绝缘体之间

B.超导体和导体之间

C.绝缘体和超导体之间

D.以上都不对

答案：A

12.对于一个N沟道MOSFET，当栅源电压VGS小于阈值电压VTH时，MOSFET处于：

A.导通状态

B.截止状态

C.饱和状态

D.线性状态

答案：B

13.芯片制造中的刻蚀工艺可分为：

A.干法刻蚀和湿法刻蚀

B.化学刻蚀和物理刻蚀

C.各向同性刻蚀和各向异性刻蚀

D.以上都是

答案：D

14.数字电路中，触发器是一种：

A.组合逻辑电路

B.时序逻辑电路

C.模拟电路

D.混合信号电路

答案：B

15.在芯片验证中，断言验证的主要作用是：

A.检查设计的功能是否符合规范

B.检查设计的时序是否满足要求

C.检查设计的功耗是否达标

D.检查设计的面积是否符合要求

答案：A

16.以下哪种半导体器件可用于光检测？

A.发光二极管（LED）

B.光电二极管

C.晶闸管

D.场效应晶体管

答案：B

17.芯片设计中的RTL代码是指：

A.寄存器传输级代码

B.门级代码

C.晶体管级代码

D.行为级代码

答案：A

18.半导体制造过程中，化学机械抛光（CMP）的主要作用是：

A.去除晶圆表面的杂质

B.使晶圆表面平整

C.在晶圆表面形成氧化层

D.对晶圆进行掺杂

答案：B

19.以下哪种存储器类型是非易失性存储器？

A.SRAM

B.DRAM

C.Flash

D.以上都不是

答案：C

20.在集成电路设计中，版图设计需要考虑的因素不包括：

A.电路性能

B.芯片面积

C.制造工艺

D.编程语言

答案：D

填空题

1.半导体的导电能力随温度升高而______（填“增强”或“减弱”）。

答案：增强

2.CMOS电路是由______和______两种MOS管组成的互补电路。

答案：PMOS管；NMOS管

3.芯片设计流程主要包括______、______、______、______、______等阶段。

答案：需求分析；架构设计；RTL编码；逻辑综合；物理设计

4.半导体制造的前道工艺主要包括______、______、______、______等步骤。

答案：光刻；刻蚀；沉积；掺杂

5.数字电路中，常见的触发器有______、______、______等。

答案：D触发器；JK触发器；T触发器

6.芯片验证的方法主要有______、______、______等。

答案：功能验证；时序验证；物理验证

7.在PN结中，P区的多数载流子是______，N区的多数载流子是______。

答案：空穴；电子

8.芯片设计中的低功耗技术主要有______、______、______等。

答案：时钟门控；电源门控；多电压域设计

9.半导体存储器按照存储原理可分为______和______两大类。

答案：易失性存储器；非易失