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第3章小结(1)增强型IGFET电路符号GSDSGDN沟道P沟道1.MOSFET的电路符号
第3章小结(2)耗尽型MOSFET的电路符号P沟道GSDN沟道GSD
第3章小结2.增强型MOS管(1)输出特性可变电阻区放大区截止区输出特性曲uGS<UGS(th)时 管子截止当uGSUGS(th)时 管子导通取uGD=uGS-uDS
工作于可变电阻区(a)当uGDUGS(th)时(b)当uGDUGS(th)时工作于放大区可变电阻区放大区截止区输出特性曲3章小结
管子工作于放大区时函数表达式(2)转移特性曲线式中,K为与管子有关的参数O转移特性曲线第3章小结
3.耗尽型MOS管变电阻区放大区截止区(1)输出特性曲线a.当uGSUGS(off)时,管子工作于截止区b.当uGSUGS(off)、uDG|UGS(off)|时管子工作于放大区c.当uGSUGS(off)、uDG|UGS(off)|时管子工作于可变电阻区第3章小结
(2)转移特性曲线函数表达式O工作于放大区时:第3章小结
4.场效应管放大电路(1)场效应管的偏置及其电路的静态分析a.自给偏压电路及静态分析当管子工作于放大区时+_+_第3章小结
b.分压式偏置电路及静态分析分压式偏置适合于增强型、耗尽型FFT自给偏压适合于耗尽型FFT+_+_+__+第3章小结
FET的微变等效电路上页下页返回(2)FFT微变等效电路FETgds第3章小结
a.电压放大倍数b.输入电阻c.输出电阻(3)共源极放大电路+_+++_+第3章小结
(4)共漏极放大电路a.电压放大倍数b.输入电阻c.输出电阻_++++_第3章小结
(5)共栅极放大电路a.电压放大倍数b.输入电阻c.输出电阻+_T+_+++第3章小结
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