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极紫外掩模白板缺陷模拟及其检测的研究.pdf

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    摘要

    随着集成电路技术的日益发展，极紫外光刻技术成为制造超大规模集成电路的最

    优解决办法。然而，极紫外光刻技术中存在着光源、掩模、光刻胶三大技术挑战，其

    中，掩模技术已逐渐成为三大技术挑战之首，极紫外光刻掩模缺陷严重制约了芯片工

    艺良率的提升。为了实现“零缺陷”掩模的制造，掩模缺陷影响的仿真及其检测是重

    要前提。目前，芯片先进制程已经达到了3nm节点，相关技术由少数外国企业掌握，

    并对我国实施了技术封锁。因此，我国开展极紫外光刻的关键技术研究迫在眉睫。

    本文基于目前国内对极紫外光刻

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